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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 11:20
Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面
櫻井蓉子大毛利健治山田啓作筑波大)・角嶋邦之岩井 洋東工大)・白石賢二・○野村晋太郎筑波大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-56
抄録 (和) 発光顕微分光法によりSiナノワイヤー、ナノレイヤの発光特性を評価した.膜厚2.7~25.2 nmの極薄SOI試料の発光スペクトルの閉じ込めを反映したピークシフトと、バルクSiと比較した相互作用の増大伴う高温での発光の増大を観測した.Siナノワイヤーにおいて、発光強度の水素熱処理依存性を調べ、水素熱処理の有無または熱処理温度に依存したSiナノワイヤーの界面準位密度の変化を光学的に検知することができた. 
(英) Photoluminescence (PL) and interface properties of Si nanolayers and nanowires have been investigated. We have observed PL peak shift due to quantum confinement effect in ultra thin SOI samples with thickness between 2.7 and 25.2 nm. Furthermore, we have observed increase in PL intensities at higher temperature as compared with bulk Si due to enhanced electron-hole Coulomb interaction. We have optically detected change in the interface defect density of Si nanowires with/or without hydrogen annealing process and depending on hydrogen annealing temperature by investigating PL spectra.
キーワード (和) 発光分光 / SOI / Siナノワイヤー / 界面準位 / / / /  
(英) photoluminescence / SOI / interface states / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-56, pp. 35-39, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-56 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Photoluminescence and interface properties of Si nanolayers and nanowires 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 発光分光 / photoluminescence  
キーワード(2)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(3)(和/英) Siナノワイヤー / interface states  
キーワード(4)(和/英) 界面準位 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 櫻井 蓉子 / Yoko Sakurai / サクライ ヨウコ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモリ ケンジ
第2著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク
第3著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute Technology (略称: Tokyo Insti. Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute Technology (略称: Tokyo Insti. Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ
第6著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 野村 晋太郎 / Shintaro Nomura / ノムラ シンタロウ
第7著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
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講演者
発表日時 2011-07-04 11:20:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-56 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.35-39 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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