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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 10:00
コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析
ザデ ダリューシュ細井隆司アヘメト パルハット角嶋邦之筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-53
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) The changes in electrical characteristics of W/HfO2or La2O3/ In0.53Ga0.47As capacitors by wet chemical treatment before or controlling the substrate temperature during oxide deposition were investigated. HMDS was used as a surface passivator and compared to widely-used sulfur based passivation. Using HMDS resulted in reduced frequency dispersion and interface state densities of W/ La2O3/ In0.53Ga0.47As capacitors without sacrificing capacitance value in accumulation condition. The effects of controlling InGaAs substrate temperature during electron beam deposition of HfO2 on electrical characteristics of W/HfO2/n-In0.53Ga0.47As capacitors are investigated. It is found that by depositing a thin HfO2 layer at the interface when substrate temperature is raised to 300 oC, frequency dispersion at depletion and accumulation conditions is reduced and interface state density is lowered regardless of the total HfO2 thickness. The frequency dispersion in accumulation was investigated through conductance method in various temperatures. A model based on traps residing within the bulk of the semiconductor was proposed which could explain the dispersive nature of capacitance in accumulation.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) High-k / InGaAs / Interface state density / bulk trap / frequency dispersion / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-53, pp. 17-22, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-53 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Defect analysis of HfO2/In0.53Ga0.47As interface using capacitance-voltage and conductance methods 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / High-k  
キーワード(2)(和/英) / InGaAs  
キーワード(3)(和/英) / Interface state density  
キーワード(4)(和/英) / bulk trap  
キーワード(5)(和/英) / frequency dispersion  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) ザデ ダリューシュ / Darius Zade /
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 隆司 / Ryuji Hosoi / ホソイ リュウジ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) アヘメト パルハット / Ahmet Parhat / アヘメト パルハット
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ
第10著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 10:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-53 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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