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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-04 10:00 コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 ○ザデ ダリューシュ・細井隆司・アヘメト パルハット・角嶋邦之・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2011-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-53 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | The changes in electrical characteristics of W/HfO2or La2O3/ In0.53Ga0.47As capacitors by wet chemical treatment before or controlling the substrate temperature during oxide deposition were investigated. HMDS was used as a surface passivator and compared to widely-used sulfur based passivation. Using HMDS resulted in reduced frequency dispersion and interface state densities of W/ La2O3/ In0.53Ga0.47As capacitors without sacrificing capacitance value in accumulation condition. The effects of controlling InGaAs substrate temperature during electron beam deposition of HfO2 on electrical characteristics of W/HfO2/n-In0.53Ga0.47As capacitors are investigated. It is found that by depositing a thin HfO2 layer at the interface when substrate temperature is raised to 300 oC, frequency dispersion at depletion and accumulation conditions is reduced and interface state density is lowered regardless of the total HfO2 thickness. The frequency dispersion in accumulation was investigated through conductance method in various temperatures. A model based on traps residing within the bulk of the semiconductor was proposed which could explain the dispersive nature of capacitance in accumulation. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | High-k / InGaAs / Interface state density / bulk trap / frequency dispersion / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-53, pp. 17-22, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-53 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Defect analysis of HfO2/In0.53Ga0.47As interface using capacitance-voltage and conductance methods |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / High-k |
| キーワード(2)（和/英） | / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | / Interface state density |
| キーワード(4)（和/英） | / bulk trap |
| キーワード(5)（和/英） | / frequency dispersion |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ザデ ダリューシュ / Darius Zade / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 隆司 / Ryuji Hosoi / ホソイ リュウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | アヘメト パルハット / Ahmet Parhat / アヘメト パルハット |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-53 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
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