電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 16:40
グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用
堀田昌宏奈良先端大/JST)・山崎浩司町田絵美奈良先端大)・石河泰明浦岡行治奈良先端大/JSTエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-68
抄録 (和) ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った. GLAにおける照射エネルギー密度の増加とともに, 上層多結晶シリコン(poly-Si)膜の粒径が増加し, また, 下層poly-Si膜の結晶性が向上した. さらに, 結晶化した積層シリコン薄膜を用いて, 異なる機能を有する薄膜デバイスを同時プロセスで作製することを試みた. 上層poly-Si膜および下層poly-Si膜にそれぞれ作製した薄膜トランジスタ(TFT)と薄膜フォトダイオード(TFPD)において, デバイス動作が確認された. また, GLAにおける照射エネルギー密度を増加させ, 膜質を改善することによって, TFTおよびTFPDの性能を向上させることに成功した. 
(英) We investigate simultaneous crystallization of double-layered silicon thin films on glass substrates by means of green laser annealing (GLA). The grain size of the upper layer polycrystalline Si (poly-Si) and the crystalline quality of the lower poly-Si are improved by optimization of the laser energy density in GLA. We also study on the device fabrication of multifunctional thin film devices on the double-layered poly-Si in a single process. Thin film transistors (TFTs) and thin film photo diodes (TFPDs), fabricated on the upper and lower poly-Si films, respectively, have shown clear device operations. The optimization of the laser energy density in GLA improves the quality of the upper and lower poly-Si films, leading to the enhancement of the performance of TFTs and TFPDs.
キーワード (和) 低温多結晶シリコン / レーザー結晶化 / 薄膜トランジスタ / 三次元積層構造 / / / /  
(英) polycrystalline silicon / laser crystallization / thin film transistor / three-dimensional multi-layered structure / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-68, pp. 103-108, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-68 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Simultaneous Crystallization of Double-Layered Si Thin Films and Fabciration of Thin Film Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低温多結晶シリコン / polycrystalline silicon  
キーワード(2)(和/英) レーザー結晶化 / laser crystallization  
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(4)(和/英) 三次元積層構造 / three-dimensional multi-layered structure  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大/JST)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 浩司 / Koji Yamasaki / ヤマサキ コウジ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 町田 絵美 / Emi Machida / マチダ エミ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大/JST)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大/JST)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2011-07-04 16:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-68 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.103-108 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会