| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-04 09:20 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 ○影島博之・日比野浩樹・山口浩司（NTT）・永瀬雅夫（徳島大）  SDM2011-51 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-51 |
|
| 抄録 | （和） | SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバッファ層として機能すること、新しいグラフェンシートはバッファ層とSiC基板表面の界面から成長する界面成長であることが明らかになった。また、SiC(0001)面上のグラフェン島は、Si脱離とC吸着の協調によるSi置換Cの凝集物形成により、埋め込まれた構造を取り得ることがわかった。 |
| （英） | Epitaxial graphene growth on SiC(0001) surface is theoretically studied by the first-principles calculation. It is found that a sheet of graphene at the interface acts as the buffer layer, and that new graphene sheets grow from the interface between the buffer layer and the SiC substrate surface. It is also found that the graphene island on SiC(0001) surface has an embedded structure, which is formed by the aggregation of Si-substitutional C after Si sublimation and C adsorption. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / SiC / エピタキシャル成長 / 第一原理計算 / / / / |
| （英） | graphene / SiC / epitaxial growth / first-principles calculation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-51, pp. 7-10, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-51 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-51 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-51 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structure and formation of epitaxial graphene on SiC(0001) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | 第一原理計算 / first-principles calculation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 影島 博之 / Hiroyuki Kageshima / カゲシマ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT Basic Research Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日比野 浩樹 / Hiroki Hibino / ヒビノ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT Basic Research Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 浩司 / Hiroshi Yamaguchi / ヤマグチ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT Basic Research Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 雅夫 / Masao Nagase / ナガセ マサオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) University of Tokushima (略称： Univ. Tokushima) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 09:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-51 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]