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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 13:40
Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御
加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-60
抄録 (和) プラセオジム(Pr)酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し,Prの価数が界面反応に与える影響を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法によるPr3d5/2およびO1sスペクトルの評価より,PrはPr酸化膜中の深さに応じて異なる価数を有することが見出された.Pr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造においては,界面近傍に金属的なPr-Pr結合が形成されることで,界面への酸素供給やそれに伴う界面層形成が抑制される.一方,O2雰囲気中熱処理を施した試料では,c-Pr2O3膜中および界面の欠陥が終端され,4価のPrを有するc-PrO2が形成される.Pr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造においては,H2雰囲気中熱処理によって界面準位密度が減少し,4×1011 eV-1cm-2の低界面準位密度を達成した. 
(英) We have investigated the electrical properties and chemical bonding state of praseodymium (Pr) oxide/Ge and Pr oxide/Pr oxynitride/Ge gate stack structures. We have clarified the relationship between the Pr valence state and the interfacial reaction. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of Pr3d5/2 and O1s photoelectron core spectra revealed the depth distribution of Pr valence state in Pr-oxide films. XPS result also indicates that the formation of metallic Pr-Pr bonds near the interface between the c-Pr2O3 film and Ge substrate in the Pr oxide/Pr oxynitride/Ge sample. Pr-Pr bonds probably prevent the oxygen supply and the Ge oxide formation at the interface. The annealing in O2 ambient (O2 annealing) terminates the O vacancies and defects in c-Pr2O3, and c-PrO2 with tetravalent Pr is formed. We can achieve the interface state density as low as 4×1011 eV-1cm-2 after the annealing in H2 ambient for Pr oxide/Pr oxynitride/Ge samples with and without O2 annealing.
キーワード (和) ゲルマニウム / プラセオジム酸化膜 / 価数 / 界面準位密度 / 界面反応 / / /  
(英) germanium / praseodymium oxide / valence state / interface state density / interfacial reaction / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-60, pp. 57-62, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-60 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Control of Interfacial Reactions in Pr Oxide/Ge Structures Based on Valence State of Pr 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ゲルマニウム / germanium  
キーワード(2)(和/英) プラセオジム酸化膜 / praseodymium oxide  
キーワード(3)(和/英) 価数 / valence state  
キーワード(4)(和/英) 界面準位密度 / interface state density  
キーワード(5)(和/英) 界面反応 / interfacial reaction  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大/学振)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 13:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-60 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.57-62 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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