研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2011-07-04 - 2011-07-04 |
開催地(和) |
名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) |
開催地(英) |
VBL, Nagoya Univ. |
テーマ(和) |
ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) |
Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2011-07-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ハフニウム酸化物への元素添加効果 |
サブタイトル(和) |
第一原理計算による検討 |
タイトル(英) |
Effects of foreign atom incorporation into HfO2 dielectrics |
サブタイトル(英) |
Examination using a first-principles method |
キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中山 利紀 / Toshinori Nakayama / ナカヤマ トシノリ |
第1著者 所属(和/英) |
東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: TCU) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
川崎 裕 / Hiroshi Kawasaki / カワサキ ヒロシ |
第2著者 所属(和/英) |
東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: TCU) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
丸泉 琢也 / Takuya Maruizumi / マルイズミ タクヤ |
第3著者 所属(和/英) |
東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: TCU) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 所属(和/英) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第3著者 |
発表日時 |
2011-07-04 14:40:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2011-63 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.114 |
ページ範囲 |
pp.75-80 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2011-06-27 (SDM) |