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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 14:40
ハフニウム酸化物への元素添加効果 ~ 第一原理計算による検討 ~
中山利紀川崎 裕・○丸泉琢也東京都市大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-63
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-63, pp. 75-80, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-63 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ハフニウム酸化物への元素添加効果 
サブタイトル(和) 第一原理計算による検討 
タイトル(英) Effects of foreign atom incorporation into HfO2 dielectrics 
サブタイトル(英) Examination using a first-principles method 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 利紀 / Toshinori Nakayama / ナカヤマ トシノリ
第1著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: TCU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川崎 裕 / Hiroshi Kawasaki / カワサキ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: TCU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸泉 琢也 / Takuya Maruizumi / マルイズミ タクヤ
第3著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: TCU)
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講演者
発表日時 2011-07-04 14:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-63 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.75-80 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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