電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 11:40
Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusuman DariWakana TakeuchiKimihiko KatoShigehisa ShibayamaMitsuo SakashitaOsamu NakatsukaShigeaki ZaimaNagoya Univ.エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-57
抄録 (和) We have investigated the effect of light induced damages on the electrical properties of the Al2O3/Ge gate stack structure during nitrogen plasma process. From capacitance-voltage characteristics, we observed the negative flatband voltage shift due to increasing of the net density of positive fixed oxide charge after the light exposure with a photon energy over 7.5 eV. The density of trapped charge and the interface state density significantly increase after the light exposure with a photon energy over 11.3 eV. We also found that these damages can be recovered by the post metallization annealing at 300ºC. 
(英) We have investigated the effect of light induced damages on the electrical properties of the Al2O3/Ge gate stack structure during nitrogen plasma process. From capacitance-voltage characteristics, we observed the negative flatband voltage shift due to increasing of the net density of positive fixed oxide charge after the light exposure with a photon energy over 7.5 eV. The density of trapped charge and the interface state density significantly increase after the light exposure with a photon energy over 11.3 eV. We also found that these damages can be recovered by the post metallization annealing at 300ºC.
キーワード (和) germanium / aluminum oxide / gate stack structure / MOS structure / plasma process / defects / degradation / interface state density  
(英) germanium / aluminum oxide / gate stack structure / MOS structure / plasma process / defects / degradation / interface state density  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-57, pp. 41-46, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-57 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) germanium / germanium  
キーワード(2)(和/英) aluminum oxide / aluminum oxide  
キーワード(3)(和/英) gate stack structure / gate stack structure  
キーワード(4)(和/英) MOS structure / MOS structure  
キーワード(5)(和/英) plasma process / plasma process  
キーワード(6)(和/英) defects / defects  
キーワード(7)(和/英) degradation / degradation  
キーワード(8)(和/英) interface state density / interface state density  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) クスマン ダリ / Kusuman Dari / クスマン ダリ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima /
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2011-07-04 11:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-57 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会