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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 14:20
金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調:第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐中山隆史千葉大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-62
抄録 (和) 金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子などの乱れを形成することで、第一原理計算により調べた。その結果、原子空孔や格子間原子など点欠陥の乱れは界面近傍に発生しやすいこと、乱れが生じた際の金属準位(MIGS)の半導体への侵入長は界面から5-6層程度で清浄な界面と変わらないこと、原子空孔とAu置換原子によるSBHの変化は殆どないが格子間Si原子や格子間Au原子ではSBHが上昇することが分かった。 
(英) Schottky-barrier changes by the structural disorders are studied using the first-principles calculations and adopting Au/Si interface. It is shown that structural disorders prefer to locate near the interface, and the penetration depth of the MIGS into Si is about 5 Si layers, which is similar to the case of flat clean interface. Moreover, the Schottky barrier for holes does not change in cases of Si vacancy and Au substitution, while it increases in cases of Si and Au interstitials.
キーワード (和) ショットキーバリア / 金属/Si界面 / MIGS / DIGS / 第一原理計算 / / /  
(英) Schottky barrier / metal/Si interfaces / MIGS / DIGS / first-principles calculation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-62, pp. 69-73, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-62 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調:第一原理計算による理論的検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Schottky-barrier change by structural disorders at metal/Si interfaces: First-principles study 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ショットキーバリア / Schottky barrier  
キーワード(2)(和/英) 金属/Si界面 / metal/Si interfaces  
キーワード(3)(和/英) MIGS / MIGS  
キーワード(4)(和/英) DIGS / DIGS  
キーワード(5)(和/英) 第一原理計算 / first-principles calculation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小日向 恭祐 / Kyosuke Kobinata / コビナタ キョウスケ
第1著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 隆史 / Takashi Nakayama / ナカヤマ タカシ
第2著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 14:20:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-62 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.69-73 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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