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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-04 10:40
Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価
大野真也井上 慧森本真弘新江定憲豊島弘明横浜国大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・尾形祥一横浜国大)・安田哲二産総研)・田中正俊横浜国大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-54
抄録 (和) 面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)の時間変化から、これらの高指数面ではSi(001)面と比較してSi2+強度が減少することが分かった。O1s状態は、低結合エネルギー成分(LBC)と高結合エネルギー成分(LBC)に成分分解される。本実験から、歪んだSi-O-Si結合中のO原子はLBCに寄与することが示唆された。 
(英) The initial oxidation on high-index silicon surfaces with (113) and (120) orientations has been investigated by real-time X-ray photoemission spectroscopy. The time evolutions of the Sin+ (n=1-4) components in the Si 2p spectrum indicate that the Si2+ state is suppressed on high-index surfaces compared with Si(001). The O 1s state consists of two components, a low-binding-energy component (LBC) and a high-binding-energy component (HBC). It is suggested that the O atom in strained Si-O-Si contributes to the LBC component.
キーワード (和) シリコン表面 / 酸化 / 実時間計測 / X線光電子分光 / 放射光 / / /  
(英) Si surface / oxidation / real-time monitoring / XPS / synchrotron radiation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-54, pp. 23-27, 2011年7月.
資料番号 SDM2011-54 
発行日 2011-06-27 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-07-04 - 2011-07-04 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-07-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of initial oxidation process on high-index silicon surfaces by real-time photoemission spectroscopy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン表面 / Si surface  
キーワード(2)(和/英) 酸化 / oxidation  
キーワード(3)(和/英) 実時間計測 / real-time monitoring  
キーワード(4)(和/英) X線光電子分光 / XPS  
キーワード(5)(和/英) 放射光 / synchrotron radiation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 真也 / Shinya Ohno / オオノ シンヤ
第1著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 慧 / Kei Inoue / イノウエ ケイ
第2著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森本 真弘 / Masahiro Morimoto / モリモト マサヒロ
第3著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 新江 定憲 / Sadanori Arae / アラエ サダノリ
第4著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 豊島 弘明 / Hiroaki Toyoshima / トヨシマ ヒロアキ
第5著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉越 章隆 / Akitaka Yoshigoe / ヨシゴエ アキタカ
第6著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺岡 有殿 / Yuden Teraoka / テラオカ ユウデン
第7著者 所属(和/英) 日本原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾形 祥一 / Shoichi Ogata / オガタ ショウイチ
第8著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda / ヤスダ テツジ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 正俊 / Masatoshi Tanaka /
第10著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
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講演者
発表日時 2011-07-04 10:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2011-54 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.114 
ページ範囲 pp.23-27 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2011-06-27 


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