講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-06-30 16:40
10G-EPON用APDの開発 ○笹畑圭史・中路雅晴・庵原 晋・山路和樹・菊地真人武・鈴木大輔・佐久間 仁・國次恭宏・石村栄太郎・杉立厚志(三菱電機) OPE2011-27 LQE2011-27 エレソ技報アーカイブへのリンク: OPE2011-27 LQE2011-27 |
抄録 |
(和) |
我々は、10G-EPON ONU用受光素子として、モジュール作製時の光結合が容易な大受光径(φ40 μm)の表面入射型AlInAsアバランシェフォトダイオード( APD )を開発した。今回、多層反射膜、空乏層厚等の構造最適化により、入射光波長 1575 ~ 1580 nmで0.95 A/W程度の非常に良好な受光感度と、増倍率 M = 10で帯域7.4 GHzの十分な周波数特性を実現した。 |
(英) |
We developed a surface illuminated AlInAs Avalanche Photodiode ( APD ) for 10G - EPON ONU. We optimized a distributed bragg reflector ( DBR ) and a depletion layer, and the APD with large diameter of 40 μm has wide bandwidth of 7.4 GHz at a multiplication factor of 10 and high responsivity of ~ 0.95 A/W. |
キーワード |
(和) |
アバランシェフォトダイオード / APD / 10G-EPON / 多層反射膜 / / / / |
(英) |
Avalanche Photodiodes / APD / 10G-EPON / DBR / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 112, LQE2011-27, pp. 65-69, 2011年6月. |
資料番号 |
LQE2011-27 |
発行日 |
2011-06-23 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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