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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-06-30 11:15 マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果 ○野本淳一・平野友康・宮田俊弘・南 内嗣（金沢工大）  EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 |
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| 抄録 | （和） | 直流マグネトロンスパッタ法を用いて作製するZnO系透明導電膜の基板上での抵抗率分布の改善及び低抵抗率化を目的として、極めて薄いZnO系透明導電膜をバッファ層として用いる新規なマグネトロンスパッタ成膜技術を開発した。 バッファ層である極薄ZnO系透明導電膜は、低抵抗率ZnO系透明導電膜を作製するために通常用いられる焼結体ターゲットの表面を強く酸化した状態でスパッタして作製された。基板温度200℃において膜厚10nmバッファ層を挿入した総膜厚150nmのGZO及びAZO薄膜において、約3×10-4 Ωcmの低抵抗率かつ抵抗率分布の大幅な低減を実現できた。 |
| （英） | Improvements of obtainable lowest resistivity as well as spatial resistivity distribution on the substrate surface in Al- or Ga-doped ZnO (AZO or GZO) thin films prepared by a newly developed deposition technique using an MS apparatus were successfully achieved by inserting a very thin buffer layer between the thin films and the glass substrates. The buffer layer was deposited by sputtering a target surface that was more strongly oxidized than is usually the case during conventional d.c. or r.f. superimposed d.c. magnetron sputtering (dc-MS or rf+dc-MS) depositions optimized to obtain lower resistivity. A minimum resistivity of approximately 3×10-4 Ωcm was obtained in 150-nm-thick-GZO and -AZO thin films that had a 10-nm-thick-buffer layer prepared at 200oC. | |
| キーワード | （和） | ZnO / AZO / GZO / マグネトロンスパッタ法 / バッファ層 / / / |
| （英） | ZnO / AZO / GZO / Magnetron sputtering / Buffer layer / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 109, CPM2011-47, pp. 17-21, 2011年6月. | |
| 資料番号 | CPM2011-47 | |
| 発行日 | 2011-06-23 (EMD, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2011-11 CPM2011-47 OME2011-25 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2011-06-30 - 2011-06-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-06-EMD-CPM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マグネトロンスパッタ法で作製したZnO系透明導電膜の電気的特性に対するバッファレイヤー挿入効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Property Improvement by Inserting a Buffer Layer in Impurity-Doped ZnO Transparent Electrodes Prepared by Magnetron Sputtering Depositions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | AZO / AZO |
| キーワード(3)（和/英） | GZO / GZO |
| キーワード(4)（和/英） | マグネトロンスパッタ法 / Magnetron sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | バッファ層 / Buffer layer |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野本 淳一 / Jun-ichi Nomoto / ノモト ジュンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 友康 / Tomoyasu Hirano / ヒラノ トモヤス |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 俊弘 / Toshihiro Miyata / ミヤタ トシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南 内嗣 / Tadatsugu Minami / ミナミ タダツグ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-06-30 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | EMD2011-11, CPM2011-47, OME2011-25 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.108(EMD), no.109(CPM), no.110(OME) |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-06-23 (EMD, CPM, OME) |
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