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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-06-30 16:55 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性 ○樫出 淳・名越克仁・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・永田向太郎・福嶋康夫・坪井 望・野本隆宏（新潟大）  EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法と，ターゲットの焼結温度に注目し，高エネルギー粒子が膜に及ぼす影響とターゲット作製条件の違いによるAZO薄膜の特性の検討を行った。その結果，低電圧にて作製した薄膜の方が，ZnO(002)面ピーク強度が大きくなる傾向であることが分かった。また，焼結温度1100℃に比べ，1300℃の方が，若干ZnO(002)面ピーク強度が小さくなった。1100℃にて焼結したターゲットを用い，作製された薄膜では，どの基板位置においても，低電圧にて作製した薄膜の方が，移動度が大きく，キャリア密度及び抵抗率が小さいことが分かった。一方，1300℃にて焼結したターゲットを用い，作製された薄膜は，1100℃にて焼結したターゲットを用いた場合に比べ，放電電圧による違いは小さいことが分かった。 |
| （英） | In order to examine that effect of high energy particles and fabricated conditions of targets, such as sintering temperature, deposition of AZO thin films was attempted at the room temperature by the RF-DC coupled magnetron sputtering method . As a result, the films deposited by low sputtering voltage had excellent c-axis orientation compared with the films deposited by high sputtering voltage. The films deposited by target sintered at 1300℃ had bad crystallinity compared with the films deposited using target sintered at 1100℃. The film deposited by target sintered at 1100℃ and low sputtering voltage had high mobility, low carrier concentration, and low resistivity in any substrate position compared with the film deposited by target sintered at 1100℃ and high sputtering voltage. Characteristic difference with the discharge voltage of the films deposited by target sintered at 1300℃ was small compared with the films deposited by target sintered at 1100℃. | |
| キーワード | （和） | ZnO薄膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 結晶性 / エロージョン / / / / |
| （英） | ZnO thin film / RF-DC coupled MS method / crystallinity / Erosion / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 109, CPM2011-54, pp. 59-63, 2011年6月. | |
| 資料番号 | CPM2011-54 | |
| 発行日 | 2011-06-23 (EMD, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2011-06-30 - 2011-06-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-06-EMD-CPM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of AZO Thin Films Deposited at Room temperature by Low Voltage Sputtering Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO薄膜 / ZnO thin film |
| キーワード(2)（和/英） | RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled MS method |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶性 / crystallinity |
| キーワード(4)（和/英） | エロージョン / Erosion |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樫出 淳 / Jun Kashiide / カシイデ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名越 克仁 / Katsuhito Nagoshi / ナゴシ カツヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami / カワカミ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 向太郎 / Kotaro Nagata / ナガタ コウタロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima / フクシマ ヤスオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 望 / Nozomu Tsuboi / ツボイ ノゾム |
| 第8著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野本 隆宏 / Takahiro Nomoto / ノモト タカヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 新潟大学 (略称： 新潟大) Niigata University (略称： Niigata Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-06-30 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | EMD2011-18, CPM2011-54, OME2011-32 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.108(EMD), no.109(CPM), no.110(OME) |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-06-23 (EMD, CPM, OME) |
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