講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-05-26 14:35
360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁(三菱電機) EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2011-14 EST2011-10 |
抄録 |
(和) |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指したE級動作増幅器に注目が集まっている.E級増幅器は比較的容易に高効率動作を実現しやすいメリットがある反面,原理的に動作周波数あるいは出力電力に限界がある.本報告ではE級動作とF級動作の中間の動作級を実現することによりE級動作の限界を超えた動作周波数・出力電力を実現した.L帯パーシャル整合GaN FETの試作を行い,出力電力360W,電力付加効率65%の高出力・高効率を得た. |
(英) |
In this paper, a high power and high efficiency partially-impedance matched GaN FET operating at L-band is presented. Recently, many over 100W output power GaN HEMT amplifiers have been developed. Especially, much attention is paid for Class-E GaN HEMT amplifiers, which will be used in mobile communication infrastructure systems. In general, class-E operation mode is used for such amplifiers for its simplicity. However there is a principle limitation of operation frequency or output power for class-E operation. In this paper a new class of amplifier is developed to overcome the limitation. By realizing intermediate operation mode between class-E and class-F, 360W output power and 65% power added efficiency was successfully obtained. |
キーワード |
(和) |
GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / / |
(英) |
GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 65, MW2011-14, pp. 45-50, 2011年5月. |
資料番号 |
MW2011-14 |
発行日 |
2011-05-19 (EMCJ, MW, EST) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2011-14 EST2011-10 |
研究会情報 |
研究会 |
EMCJ MW EST |
開催期間 |
2011-05-26 - 2011-05-27 |
開催地(和) |
情報通信研究機構 |
開催地(英) |
NICT |
テーマ(和) |
マイクロ波, EMC, 一般 |
テーマ(英) |
Microwave, EMC, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
MW |
会議コード |
2011-05-EMCJ-MW-EST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
L-band Partially-impedance matched GaN FET with 360W Output Power and 65% Power Added Efficiency |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
GaN HEMT / GaN HEMT |
キーワード(2)(和/英) |
高電圧 / High-voltage techniques |
キーワード(3)(和/英) |
MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
第1著者 所属(和/英) |
三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
湯之上 則弘 / Norihiro Yunoue / ユノウエ ノリヒロ |
第2著者 所属(和/英) |
三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
茶木 伸 / Shin Chaki / チャキ シン |
第3著者 所属(和/英) |
三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中山 正敏 / Masatoshi Nakayama / ナカヤマ マサトシ |
第4著者 所属(和/英) |
三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano / ヒラノ ヨシヒト |
第5著者 所属(和/英) |
三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-05-26 14:35:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
MW |
資料番号 |
EMCJ2011-17, MW2011-14, EST2011-10 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.64(EMCJ), no.65(MW), no.66(EST) |
ページ範囲 |
pp.45-50 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2011-05-19 (EMCJ, MW, EST) |
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