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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-20 09:25 III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 ○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）  ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御として以下の二つを検討した。まず、従来のLED構造上にトンネル接合と横方向電流拡散のためのn-GaN層を有するLEDを作製した。素子表面からの光取り出し量が、従来の半透明電極を用いたLEDよりも1.4倍に向上することがわかった。これは、n-GaN層で横方向に電流が十分拡散し、かつ半透明電極による光吸収を抑制できたためと考えられる。次に、埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造を有する窒化物半導体面発光レーザの注入電流密度と素子抵抗を有限要素法により見積もった。適切な素子構造ではその抵抗が200Ω程度に抑えられ、室温連続動作する可能性を有することを確認した。 |
| （英） | Current path control in nitride semiconductor-based devices with tunnel junctions have been investigated along the following two aspects. First, LEDs with tunnel junctions and top n-GaN layers for current spreading were fabricated. Light extraction was improved 1.4 times compared to that of standard LEDs with semi-transparent electrodes. This indicates that the currents were sufficiently spreading at the top n-GaN layers and no light was absorbed at the electrodes. Next, current density distribution and device resistance were estimated in nitride-based vertical cavity surface emitting lasers with the tunnel junctions by finite element method. A reasonably low resistance, 200Ω, was obtained in a suitable device structure, implying potential cw operations at room temperature. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / 電流経路制御 / トンネル接合 / 面発光レーザ / / / / |
| （英） | nitride semiconductor / current path control / tunnel junction / surface-emitting laser / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-27, pp. 99-104, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-27 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-20 CPM2011-27 SDM2011-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current path control with Nitride semiconductor-based tunnel junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 電流経路制御 / current path control |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル接合 / tunnel junction |
| キーワード(4)（和/英） | 面発光レーザ / surface-emitting laser |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 浩司 / Kouji Yamashita / ヤマシタ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加賀 充 / Mitsuru Kaga / カガ ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢木 康太 / Kouta Yagi / ヤギ コウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 敦志 / Atsushi Suzuki / スズキ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | エルシード株式会社 (略称： エルシード) EL-SEED Corporation (略称： EL-SEED Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University/EL-SEED Corp (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ./Nagoya Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-20 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-20, CPM2011-27, SDM2011-33 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.99-104 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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