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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-20 13:00 MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発 ○舘 忠裕・犬塚博章・藤村直也・近藤嵩輝・難波秀平・村松慎也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）  ED2011-26 CPM2011-33 SDM2011-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-26 CPM2011-33 SDM2011-39 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法によるSi基板上のCdTe厚膜成長層を用いた大面積2次元アレイ型放射線画像検出器の開発を行っている。検出性能向上のためには素子暗電流の低減が課題である。今回、成長層を用いて検出器アレイを試作し、その素子暗電流の評価を行った。アレイにおける素子暗電流の2次元分布から、暗電流はCdTe層の成長条件に依存することがわかった。また素子暗電流の温度依存性から暗電流には異なる2種類の深い準位が寄与することがわかった。 |
| （英） | We have been developing large area and high performance 2-dimensional (2D) radiation imaging arrays using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. To improve the detector performance, dark current characteristics of the detector diodes have been studied using the fabricated arrays. The dark-current was found to depend on the growth condition of the CdTe layers, which was suggested by the 2D distribution of the dark current. The dark current was also influenced by 2 different deep levels in the grown CdTe layers. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / Si基板上のCdTe / アレイ / 暗電流 / / / / |
| （英） | MOVPE / CdTe on Si substrate / Array / Dark Current / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-26, pp. 131-134, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-26 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-26 CPM2011-33 SDM2011-39 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-26 CPM2011-33 SDM2011-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of radiation imaging arrays using thick CdTe layers grown on Si substrates by MOVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板上のCdTe / CdTe on Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | アレイ / Array |
| キーワード(4)（和/英） | 暗電流 / Dark Current |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舘 忠裕 / Tadahiro Tachi / タチ タダヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 犬塚 博章 / Hiroaki Inuzuka / イヌズカ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 直也 / Naoya Fujimura / フジムラ ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 嵩輝 / Takaki Kondo / コンドウ タカキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 難波 秀平 / Syuhei Nanba / ナンバ シュウヘイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村松 慎也 / Shinya Muramatsu / ムラマツ シンヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安形 保則 / Yasunori Agata / アガタ ヤスノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | ニラウラ マダン / Madan Niraula / ニラウラ マダン |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda / ヤスダ カズヒト |
| 第9著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-20 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-26, CPM2011-33, SDM2011-39 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.131-134 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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