講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-05-20 17:30
原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝(名大) ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
抄録 |
(和) |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al2O3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH4)2S 処理の効果を検討した所、Al2O3成膜前に(NH4)2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH4)2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH4)2S処理をAl2O3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、ID, gm- VGS特性におけるヒステリシスが減少し、また大きなゲート電圧におけるID の上詰まりも改善した。これらの結果は硫化アンモニウム処理により、Al2O3/AlGaN界面の界面準位密度が低減したことを示唆している。またさらなる界面品質の向上を目指して、C-V測定後アニールを行ったところ、C-Vカーブの立ち上がりが正側にシフトし、界面準位密度も低減した。 |
(英) |
We have introduced (NH4)2S surface treatments before the deposition of the Al2O3 gate oxide to improve the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETs. Firstly, the effect of (NH4)2S surface treatment was studied using Al2O3/GaN MOS diodes. The slope in the C-V curve of the MOS diodes with (NH4)2S surface treatments was steeper than that of the devices without (NH4)2S. In addition, Al2O3/GaN interface trap density was decreased by (NH4)2S surface treatments. The hysteresis of the Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET with (NH4)2S surface treatments in ID-VGS and gm-VGS characteristics was smaller than that of the device without (NH4)2S surface treatments. In addition, the current saturation in ID-VGS characteristics at a large gate voltage is relaxed. These results indicate that Al2O3/AlGaN interface trap density is decreased by (NH4)2S surface treatments. The annealing of the MOS diodes was shown to be effective in improving the interface quality of the MOS diodes. |
キーワード |
(和) |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET / 硫化アンモニウム / 界面準位密度 / / / / / |
(英) |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET / (NH4)2S / interface trap density / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-36, pp. 185-190, 2011年5月. |
資料番号 |
ED2011-36 |
発行日 |
2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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