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講演抄録/キーワード
講演名 2011-05-19 16:40
B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
伊藤 駿竹田健一郎永田賢吾青島宏樹竹原孝祐岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29
抄録 (和) beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基板材料である。本研究では、良質な結晶を得るにあたり、サーマルアニールがbeta-Ga2O3(100)基板及びGaN、AlGaN成長に与える影響に注目した。サーマルアニールの温度を変えたbeta-Ga2O3(100)基板上にMOVPE法を用いてGaNおよびAlGaNの作製を行い、その後結晶の評価を行ったので報告する。 
(英) beta-Ga2O3 is one of the most attractive substrates for AlGaN-based UV light-emitting-diodes (LEDs). Its transparency up to 260 nm wavelength and n-type conductivity can lead to small absorptions of UV light in beta-Ga2O3 and possible vertical structures of the LEDs. In this study, we investigated the impact of thermal annealing temperature of the beta-Ga2O3 substrate. We characterized surface roughness of (100) beta-Ga2O3 after annealing with different temperatures and crystal qualities of GaN and AlGaN on the (100) beta-Ga2O3 by MOVPE.
キーワード (和) beta-Ga2O3(100) / サーマルアニール / GaN / MOVPE / / / /  
(英) beta-Ga2O3(100) / thermal annealing / GaN / MOVPE / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-23, pp. 77-81, 2011年5月.
資料番号 CPM2011-23 
発行日 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29

研究会情報
研究会 CPM SDM ED  
開催期間 2011-05-19 - 2011-05-20 
開催地(和) 名古屋大学 VBL 
開催地(英) Nagoya Univ. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価技術及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-05-CPM-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth of GaN and AlGaN on B-Ga2O3 (100) substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) beta-Ga2O3(100) / beta-Ga2O3(100)  
キーワード(2)(和/英) サーマルアニール / thermal annealing  
キーワード(3)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(4)(和/英) MOVPE / MOVPE  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 駿 / Shun Ito / イトウ シュン
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹田 健一郎 / Kenichiro Takeda / タケダ ケンイチロウ
第2著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 賢吾 / Kengo Nagata / ナガタ ケンゴ
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 青島 宏樹 / Hiroki Aoshima / アオシマ ヒロキ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹原 孝祐 / Kosuke Takehara / タケハラ コウスケ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第8著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤サキ 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム
第9著者 所属(和/英) 名城大学/名古屋大学 (略称: 名城大/名大)
Meijo University/Nagoya University (略称: Meijo Univ/Nagoya Univ)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ
第10著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Meijo Univ/Nagoya Univ)
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講演者
発表日時 2011-05-19 16:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-ED2011-16,IEICE-CPM2011-23,IEICE-SDM2011-29 
巻番号(vol) IEICE-111 
号番号(no) no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) 
ページ範囲 pp.77-81 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2011-05-12,IEICE-CPM-2011-05-12,IEICE-SDM-2011-05-12 


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