| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 16:40 B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 ○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）  ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 |
|
| 抄録 | （和） | beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基板材料である。本研究では、良質な結晶を得るにあたり、サーマルアニールがbeta-Ga2O3（100）基板及びGaN、AlGaN成長に与える影響に注目した。サーマルアニールの温度を変えたbeta-Ga2O3（100）基板上にMOVPE法を用いてGaNおよびAlGaNの作製を行い、その後結晶の評価を行ったので報告する。 |
| （英） | beta-Ga2O3 is one of the most attractive substrates for AlGaN-based UV light-emitting-diodes (LEDs). Its transparency up to 260 nm wavelength and n-type conductivity can lead to small absorptions of UV light in beta-Ga2O3 and possible vertical structures of the LEDs. In this study, we investigated the impact of thermal annealing temperature of the beta-Ga2O3 substrate. We characterized surface roughness of (100) beta-Ga2O3 after annealing with different temperatures and crystal qualities of GaN and AlGaN on the (100) beta-Ga2O3 by MOVPE. | |
| キーワード | （和） | beta-Ga2O3（100） / サーマルアニール / GaN / MOVPE / / / / |
| （英） | beta-Ga2O3（100） / thermal annealing / GaN / MOVPE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-23, pp. 77-81, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-23 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN and AlGaN on B-Ga2O3 (100) substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | beta-Ga2O3（100） / beta-Ga2O3（100） |
| キーワード(2)（和/英） | サーマルアニール / thermal annealing |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 駿 / Shun Ito / イトウ シュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹田 健一郎 / Kenichiro Takeda / タケダ ケンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 賢吾 / Kengo Nagata / ナガタ ケンゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青島 宏樹 / Hiroki Aoshima / アオシマ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹原 孝祐 / Kosuke Takehara / タケハラ コウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤サキ 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ/Nagoya Univ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Meijo Univ/Nagoya Univ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 1 |
| 発表日時 | 2011-05-19 16:40:00 |
| 発表時間 | 25 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | IEICE-ED2011-16,IEICE-CPM2011-23,IEICE-SDM2011-29 |
| 巻番号（vol） | IEICE-111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.77-81 |
| ページ数 | IEICE-5 |
| 発行日 | IEICE-ED-2011-05-12,IEICE-CPM-2011-05-12,IEICE-SDM-2011-05-12 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]