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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 16:05 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン ○高野 泰・高木達也・見崎 龍・宮原 亮（静岡大）  ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2°オフ基板と4°オフ基板を使用した。4°オフ基板上ではシングルドメインのGaP層を得ることができた。それに対し、2°オフ基板上ではシングルドメインのGaPを得ることは難しかった。2°オフ基板上でも限られた成長条件でGaPを得ることができたが、副格子の向きが4°オフ基板上の副格子の向きに対し90°回転していた。成長初期のGaPの形状を原子間力顕微鏡で調べた。 |
| （英） | GaP layers were grown on 2° and 4° misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. The misoriented substrates were used to suppress antiphase domains. Single domain GaP layers were obtained on 4° misoriented Si substrates. Antiphase domains self-annihilated during growth. A single domain GaP layer was achieved on the 2° misoriented Si substrates only at 800°C. Transmission electron microscopy revealed that the sublattice of the layer on the 2° misoriented substrate rotated 90° with respect to that on the 4° misoriented substrates. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / GaP / シリコン基板 / アンチフェイズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 / / |
| （英） | MOVPE / GaP / Si substrate / antiphase domain / atomic force microscopy / transmission electron microscopy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-22, pp. 71-75, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-22 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Antiphase domains in GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaP / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アンチフェイズドメイン / antiphase domain |
| キーワード(5)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / transmission electron microscopy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 達也 / Tatsuya Takagi / タカギ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 見崎 龍 / Tatsuru Misaki / ミサキ タツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮原 亮 / Ryo Miyahara / タカギ タツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-15, CPM2011-22, SDM2011-28 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.71-75 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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