講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-05-19 17:30
AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 ○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智(名城大)・赤崎 勇(名城大/名大)・天野 浩(名大) ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-18 CPM2011-25 SDM2011-31 |
抄録 |
(和) |
AlN/GaN多層膜は、?族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の実現が期待できる。一方、AlNとGaNの格子不整合によるクラックが導入されるため、大面積にわたって高い反射率を有する多層膜反射鏡の作製が困難である。今回、従来用いられるGaNテンプレートの代わりにAlNテンプレートを用いて、クラックの原因であると考えられる引っ張り歪を抑制した多層膜反射鏡の作製を初めて行った。30ペア積層した結果、高反射率(97.5%)を達成し、かつクラックの大幅な抑制を実現することができた。 |
(英) |
AlN/GaN multilayer structures have relatively large refractive index differences in the group-III nitride semiconductors, which are expected to obtain high reflectivity distributed Bragg reflectors (DBRs) with a relatively small number of pairs. On the other hand, due to the cracks caused by the lattice mismatch, it is difficult to fabricate DBRs having high reflectivities in a large area. In this paper, we fabricated AlN/GaN DBRs on AlN templates for the first time in order to suppress the cracks by minimizing the tensile strain in the DBR layers. A high reflectivity of 97.5% was achieved in the 30 pair AlN/GaN DBR on AlN template. |
キーワード |
(和) |
多層膜反射鏡 / DBR / クラック / AlN / 反射率 / / / |
(英) |
Distributed Bragg Reflector / crack / AlN / Reflectance / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-25, pp. 89-93, 2011年5月. |
資料番号 |
CPM2011-25 |
発行日 |
2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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