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| 講演名 | 2011-05-13 15:45 ［招待講演］レーザ励起による準静電界を用いた故障解析手法 ○伊藤誠吾・滝口清昭（東大）  R2011-12 |
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| 抄録 | （和） | 電界は放射電界(Radiation Field)と誘導電界(Induction Field)、それと準静電界(QEF:Quasi-Electrostatic Field)に大きく３つに分けられ我々は準静電界に注目した。これは発生源を含む誘電体や導体の近傍だけに存在する性質を有し、最近では生体通信や個人認証技術への応用研究が進められている。この準静電界の特性を利用して、様々な試料に対しレーザビーム光を照射して、そのエネルギーにより生じる僅かな準静電界の変化を、今回新しく開発したセンサを用いる事により、従来検出が難しいとされていた、絶縁体中の金属微粒子の検出に成功した。この報告では準静電界の検出原理の解説とシリコン片にレーザ光を照射し発生する電荷の移動メカニズムについて考察する。そして、解析事例として準静電界センシング技術を用いた鉄とステンレスの金属微粒子の検出結果ついてまとめを行い、同手法の材料評価や半導体故障解析への可能性について述べる。 |
| （英） | Electric fields exist in three forms - namely, radiation field, induction field and quasi-electrostatic field (QEF). The quasi-electrostatic field, on the other hand, is characterized by its existence only within the proximity of dielectrics and conductors close to the emission source, and advanced research has been promoted in recent years to utilize it for human body communication and personal authentication technologies. We noted this property of the quasi-electrostatic field, and by using the subtle change of the quasi-electrostatic field produced by the energy of laser beam irradiation onto a sample and a newly developed electric field assist electrode, we succeeded in detecting micro-sized metallic particles of a few to several tens of micrometers contained in an insulator. In this paper, we will elucidate the principle of quasi-electrostatic field detection, and discuss the mechanism of electric charge movement generated by laser beam irradiation onto silicon. We will then show a specific analysis example of the detection of Fe and SUS micro-particles using the laser quasi-electrostatic field sensing technique, present the results, and finally state the future possibilities of this method. | |
| キーワード | （和） | レーザビーム / 準静電界 / 故障解析 / 無バイアス / 非接触 / / / |
| （英） | Laser beam / Quasi-electrostatic field / Failure analysis / Non-bias / Non-contact / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 33, R2011-12, pp. 23-28, 2011年5月. | |
| 資料番号 | R2011-12 | |
| 発行日 | 2011-05-06 (R) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2011-12 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
| 開催期間 | 2011-05-13 - 2011-05-13 |
| 開催地（和） | 高知市文化プラザ「かるぽーと」 |
| 開催地（英） | Kochi City Culture-Plaza Cul-Port |
| テーマ（和） | ＬＳＩを含む電子デバイスの評価・解析・診断，および信頼性一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | R |
| 会議コード | 2011-05-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | レーザ励起による準静電界を用いた故障解析手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Failure analysis method using a Laser excitation quasi-electrostatic field sensing technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザビーム / Laser beam |
| キーワード(2)（和/英） | 準静電界 / Quasi-electrostatic field |
| キーワード(3)（和/英） | 故障解析 / Failure analysis |
| キーワード(4)（和/英） | 無バイアス / Non-bias |
| キーワード(5)（和/英） | 非接触 / Non-contact |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 誠吾 / Seigo Ito / イトウ セイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝口 清昭 / Kiyoaki Takiguchi / タキグチ キヨアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-13 15:45:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | R |
| 資料番号 | R2011-12 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.33 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-06 (R) |
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