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講演抄録/キーワード
講演名 2011-05-13 14:10
走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察
本田耕一郎富士通研)・長 康雄東北大R2011-9
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 33, R2011-9, pp. 7-12, 2011年5月.
資料番号 R2011-9 
発行日 2011-05-06 (R) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2011-9

研究会情報
研究会 R  
開催期間 2011-05-13 - 2011-05-13 
開催地(和) 高知市文化プラザ「かるぽーと」 
開催地(英) Kochi City Culture-Plaza Cul-Port 
テーマ(和) LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,および信頼性一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2011-05-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Observation of Vth Distribution of MONOS Flash Memory Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 耕一郎 / Koichiro Honda / ホンダ コウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長 康雄 / Yasuo Cho /
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-05-13 14:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2011-9 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.33 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2011-05-06 (R) 


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