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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-19 15:00 HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性 ○鶴田茂之・木下健太郎・中林竜也・岸田 悟（鳥取大）  ICD2011-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-17 |
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| 抄録 | （和） | 新規の不揮発性メモリやスイッチング素子として期待されるCB-RAM (Conducting Bridge Random Access Memory)において, 従来用いられてきた固体電解質をCMOSプロセスへの親和性の高い酸化物に置き換えた場合でも類似のスイッチング現象が生じることが報告された. しかし, 酸化物を用いたCB-RAMのメモリ特性に関する報告はまだ少ない. 本研究では, Cu/HfO2/Pt構造の電気特性及びデータ保持特性を評価した. バイポーラ型の抵抗変化が確認され, 動作電圧は$\pm$1 V程度と固体電解質系のCB-RAMに比べて高く, ノイズマージンの確保に十分な値が得られた. データ保持エラーは主に低抵抗が高抵抗に変化することで生じることから, 熱拡散による金属フィラメントの断裂がエラーの主要因と考えられる. 低抵抗状態の抵抗が低いほど, 即ち, フィラメントの太さが太いほどエラーが起こりにくいことも示された. |
| （英） | CB-RAM (Conducting Bridge Random Access Memory) is expected as a candidate for a nonvolatile memory and a switch for the next generation. The similar switching phenomenon was observed in CB-RAM in which solid electrolyte materials were replaced with CMOS familiar metal oxides. However, elucidation of basic memory characteristics of metal-oxide-based CB-RAM is still an open issue. In this study, we evaluated electric characteristics and data retention characteristics of a Cu/HfO2/Pt structure. Bipolar-type resistive switching with operation voltages of 1 V, which gives an enough voltage margin to secure the stored data against noise, was confirmed. Data retention error was mainly caused by the change in stored resistance from low to high resistance. Therefore, it was suggested that rupture of a metal filament due to thermal diffusion of constituent metal atoms was the origin that caused the error. In addition, it was clarified that, in the low resistance state, memory cells with lower resistance (thicker filament) retain the data longer than those with higher resistances (thinner filament). | |
| キーワード | （和） | CB-RAM / HfO2 / data retention / / / / / |
| （英） | CB-RAM / HfO2, / data retention / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-17, pp. 93-97, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-17 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Basic memory characteristics of HfO2-CB-RAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CB-RAM / CB-RAM |
| キーワード(2)（和/英） | HfO2 / HfO2, |
| キーワード(3)（和/英） | data retention / data retention |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴田 茂之 / Shigeyuki Tsuruta / ツルタ シゲユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学電気電子工学科 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学電気電子工学科/鳥取大学電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大) Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (略称： Tottori Univ./ TEDREC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中林 竜也 / Tatsuya Nakabayashi / ナカバヤシ タツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 鳥取大学電気電子工学科 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル |
| 第4著者 所属（和/英） | 鳥取大学電気電子工学科/鳥取大学電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大) Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (略称： Tottori Univ./ TEDREC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-19 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-17 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.93-97 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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