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講演抄録/キーワード
講演名 2011-04-18 11:40
[招待講演]高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ ~ Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput ~
筒井敬一大塚 渉宮田幸児北川 真対馬朋人ソニーICD2011-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-3
抄録 (和) 従来型のメモリとしてDRAMとNANDは将来の微細化が困難になることが予想され,微細化に適した次世代メモリの技術開発が行われている. 次世代メモリの候補の一つである抵抗変化型メモリReRAMについて,これまで多くのメモリセル材料の特性結果が報告されているが,そのメモリアレイに適した記録再生回路を有するマクロチップの報告は行われていない.本論文では,Cu-Teを導電材料とした層と薄膜の絶縁層からなる2層構造も持つConductive Bridge ReRAMのメモリセルを用いて,高速化を目的とした記録再生回路を含む周辺回路を備えた4Mbitテストマクロチップを試作し,その記録再生速度とデータ信頼性の結果について明らかにした.更に,目的とするアプリケーションへの適応が可能であることも示した. 
(英) In this work, we present a 4Mb conductive bridge ReRAM test macro realizing 2.3GB/s read-throughput, 216MB/s program-throughput and robust reliability results by using read/write fully functional device technology
キーワード (和) 次世代メモリ / 抵抗変化型メモリ / 抵抗変化メモリ / ReRAM / RRAM / 高速 / /  
(英) ReRAM / RRAM / conductive bridge / test macro / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-3, pp. 13-18, 2011年4月.
資料番号 ICD2011-3 
発行日 2011-04-11 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2011-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-3

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2011-04-18 - 2011-04-19 
開催地(和) 神戸大学 瀧川記念館 
開催地(英) Kobe University Takigawa Memorial Hall 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2011-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ 
サブタイトル(和) Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput 
タイトル(英) ReRAM Test Macro with High Speed Read/Program Circuit 
サブタイトル(英) Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput 
キーワード(1)(和/英) 次世代メモリ / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) 抵抗変化型メモリ / RRAM  
キーワード(3)(和/英) 抵抗変化メモリ / conductive bridge  
キーワード(4)(和/英) ReRAM / test macro  
キーワード(5)(和/英) RRAM /  
キーワード(6)(和/英) 高速 /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 敬一 / Keiichi Tsutsui / ツツイ ケイイチ
第1著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 渉 / Wataru Otsuka / オオツカ ワタル
第2著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮田 幸児 / Koji Miyata / ミヤタ コウジ
第3著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 北川 真 / Makoto Kitagawa / キタガワ マコト
第4著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 対馬 朋人 / Tomohito Tsushima / ツシマ トモヒト
第5著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-04-18 11:40:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2011-3 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数
発行日 2011-04-11 (ICD) 


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