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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-18 15:20 ［招待講演］相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動 ○高浦則克（超低電圧デバイス技研組合）  ICD2011-6 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-6 |
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| 抄録 | （和） | 相変化デバイスの動向とつくばイノベーションアリーナ（TIA）における研究活動を報告する．主な内容は，低電力動作を実現するための材料研究及び，高集積かつ高データ転送速度を実現するためのメモリセル研究の進捗である．相変化デバイスを配線間に埋め込むバックエンドデバイスとしてのTIAでの活動も報告する． |
| （英） | This paper reports on trend in phase change memory (PCM) and research activity in Tsukuba Innovation Arena (TIA) . We discuss the materials research on PCM for low power operation and the design and electrical properties of cross point PCM suited to high density and high speed external storage applications. In TIA, Low-Power Electronics Association & Project (LEAP) aims to develop PCM as a back-end-of line (BEOL) device. | |
| キーワード | （和） | 相変化デバイス / ストレージクラスメモリ / つくばイノベーションアリーナ / / / / / |
| （英） | Phase Change Memory(PCM) / Storage Class Memory(SCM) / Tsukuba Innovation Arena(TIA) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-6, pp. 33-36, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-6 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-6 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Trend in Phase Change Memory and activity in TIA |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化デバイス / Phase Change Memory(PCM) |
| キーワード(2)（和/英） | ストレージクラスメモリ / Storage Class Memory(SCM) |
| キーワード(3)（和/英） | つくばイノベーションアリーナ / Tsukuba Innovation Arena(TIA) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高浦 則克 / Norikatsu Takaura / タカウラ ノリカツ |
| 第1著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-18 15:20:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-6 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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