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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-18 10:00 ［招待講演］スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大）  ICD2011-1 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-1 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続した磁気トンネル接合を用いてメモリセルを構成することで、その磁化反転による抵抗変化の組み合わせにより4レベルの抵抗値、すなわち2bit/cellを実現した。多値化のための必要条件は、2つのSPRAM素子が互いに平面面積のみ異なっていればよい。書き換え・読み出し動作としては、2段階のシーケンスを用いる方式を考案した。また、セルサイズ設計の一例を述べ、4F2/bitが見込めることを示した。 |
| （英） | A MLC (Multi-level cell) SPRAM (Spin transfer torque RAM) with series-stacked MTJs (Magnetic tunnel junctions) was developed. We demonstrate the successful four-level operation, which means two-bits/cell. It is shown that areas of the two-MTJs are required to be different. In addition, two-step write and read techniques for memory operation are also proposed. Moreover, the design of the cell size is discussed. | |
| キーワード | （和） | SPRAM / STT / スピン注入磁化反転 / トンネル磁気抵抗 / 磁気トンネル接合 / 多値 / / |
| （英） | SPRAM / STT / TMR / MTJ / MLC / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-1, pp. 1-5, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-1 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-1 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2011-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Trends and Multi-level-cell Technology of Spin Transfer Torque Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SPRAM / SPRAM |
| キーワード(2)（和/英） | STT / STT |
| キーワード(3)（和/英） | スピン注入磁化反転 / TMR |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル磁気抵抗 / MTJ |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気トンネル接合 / MLC |
| キーワード(6)（和/英） | 多値 / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石垣 隆士 / Takashi Ishigaki / イシガキ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹村 理一郎 / Riichiro Takemura / タケムラ リイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小埜 和夫 / Kazuo Ono / オノ カズオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi. Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku U.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-18 10:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-1 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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