講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-02-24 10:45
Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志(北大)・藤原 聡(NTT)・高橋庸夫(北大) ED2010-203 SDM2010-238 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-203 SDM2010-238 |
抄録 |
(和) |
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電気伝導特性が変化することが知られている.われわれはシリコンのSETにおいて,基板縦方向電界無しに光照射のみで電気伝導特性が変化することを見出した.これは光照射により励起された正孔1個が単電子島周囲にあるSiO2にトラップされ,この正の電荷のために新たな電子が流れることが可能になったためである.トラップされた正孔の保持時間はゲート電圧の大きさにより異なることがわかった. |
(英) |
It is well known that step-like current jumps are observed when huge vertical electric field are applied to a Si single-electron transistor(SET) by photo illumination because single electron-hole pair is generated and recombined in the SET island. We observed similar characteristics without vertical electric field by only photo illumination. This is thought to be caused by the single hole trapped in SiO2 around the island, which enables another electron to enter the SET island. We also clarify that the holding time of trapped hole is depend on the gate voltage. |
キーワード |
(和) |
単電子 / クーロンブロッケード / シリコン / 光応答 / / / / |
(英) |
Single-Electron / Coulomb blockade / Silicon / Optical response / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 423, ED2010-203, pp. 63-66, 2011年2月. |
資料番号 |
ED2010-203 |
発行日 |
2011-02-16 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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