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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-07 13:40 Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 ○小濱和之・伊藤和博・薗林 豊（京大）・大森和幸・森 健壹・前川和義（ルネサス エレクトロニクス）・白井泰治（京大）・村上正紀（立命館大）  SDM2010-221 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-221 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バリアが45nmノードのデュアルダマシン配線形成プロセスに適用され、従来のTa/TaNバリアと同等以上の高いバリア性を持つことが示されたが、バリアの微細構造や高バリア性の原因は明らかではなかった。本稿では、X線光電子分光法（XPS）を用いたTiの化学状態の解析により、種々の誘電体層上に作製したTi基自己形成バリア中のTi化合物を直接同定し、Ti基自己形成バリアの微細構造および高バリア性の原因について詳細に考察した結果について述べる。 |
| （英） | Ti-based self-formed barrier layer using Cu(Ti) alloy seed applied to 45 nm-node dual-damascene interconnects was reported to have sufficient barrier strength to prevent Cu diffusion into dielectrics. However, the barrier structure such as a volume fraction and a position of the constituent Ti compounds were unknown. Thus, barrier mechanism of the self-formed Ti-based barrier layers was indistinct. In the present study, we employed an X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) technique with simultaneous Ar etching, to investigate systematically the barrier structure of the Ti-based barrier layers self-formed on several dielectrics. | |
| キーワード | （和） | LSI / Cu配線 / Cu(Ti) / RBS / XPS / / / |
| （英） | LSI / Cu interconnect / Cu(Ti) / RBS / XPS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 408, SDM2010-221, pp. 31-35, 2011年2月. | |
| 資料番号 | SDM2010-221 | |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-221 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-221 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-02-07 - 2011-02-07 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Ti-Based Self-Formed Barrier Structure on Dielectric-Layer Composition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnect |
| キーワード(3)（和/英） | Cu(Ti) / Cu(Ti) |
| キーワード(4)（和/英） | RBS / RBS |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小濱 和之 / Kazuyuki Kohama / コハマ カズユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 和博 / Kazuhiro Ito / イトウ カズヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薗林 豊 / Yutaka Sonobayashi / ソノバヤシ ユタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大森 和幸 / Kazuyuki Ohmori / オオモリ カズユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 健壹 / Kenichi Mori / モリ ケンイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 和義 / Kazuyoshi Maekawa / マエカワ カズヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白井 泰治 / Yasuharu Shirai / シライ ヤスハル |
| 第7著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 正紀 / Masanori Murakami / ムラカミ マサノリ |
| 第8著者 所属（和/英） | 学校法人立命館 (略称： 立命館大) The Ritsumeikan Trust (略称： The Ritsumeikan) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-07 13:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-221 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.408 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) |
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