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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-29 09:55 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成 ○松田時宜・古田 守・平松孝浩・古田 寛・平尾 孝（高知工科大）  EID2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2010-35 |
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| 抄録 | （和） | 薄膜トランジスタのような半導体デバイスを、フレキシブル電子ペーパーなどへの応用が期待される低耐熱性基板へ応用するため、絶縁膜を低温かつ高速で大面積基板へと形成する技術が必要とされている．その実現のため、SiOx膜製膜用プラズマ源として、新規対向電極CVD装置(Facing Electrodes CVD (FE-CVD)の開発を行った．これは、次のような特徴を持つ． 1) 石英ターゲットが対向した電極構造をもち、長さ方向に伸長可能である．（大面積展開可能） 2) 磁場及び各電極に高周波(13.56 MHｚ)を印加することにより高密度プラズマを生成(膜質向上) 3) テトラメチルシラン(TMS)及び酸素を製膜ガスとして導入し製膜速度向上 これらにより、低温でSiOx絶縁膜をすることを試みた．その結果、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として利用可能な絶縁性を持つSiO_{\it{x}}薄膜を150℃の基板温度でガラス基板上に形成する事に成功した．製膜速度は11 nm/min.,絶縁性は電界強度1 MV/cmのとき3×10^{-8} A/cm^{2}、電流密度1×10^{-6} A/cm^{2}となる電界強度が5 MV/cmであった． |
| （英） | Insulating SiO_{\it x} film was deposited at low temperature with newly developed plasma source for low heat resistive substrate as for flexible display. The plasma was induced with electromagnetic field generated by two facing electrodes including magnets inside and covered with SiO_{2} targets. The higher deposition rate was realized with the mixture of tetramethylsilane and oxygen as source gases. The insulating properties were obtained as 3E-8 A/cm^{2} at an electric field of 1 MV/cm, and a breakdown voltage of 5 MV/cm at 1E-6 A/cm^{2} for the film deposition rate at 11 nm/min. High density plasma enhanced by magnetic field would be the hopeful solution for deposition of high deposition rate gate insulator at low temperature. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / ゲート絶縁膜 / 化学気相堆積法(CVD) / FT-IR / フィルム基板 / プラズマ / 電気的特性 / 誘電率 |
| （英） | Thin film transistor / gate insulator / chemical vapor deposition (CVD) / FT-IR / Film substrate / plasma / electrical property / dielectric | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 404, EID2010-35, pp. 87-90, 2011年1月. | |
| 資料番号 | EID2010-35 | |
| 発行日 | 2011-01-21 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2010-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID ITE-IDY IEE-EDD IEIJ-SSL |
| 開催期間 | 2011-01-28 - 2011-01-29 |
| 開催地（和） | 高知工科大学 研究教育棟B |
| 開催地（英） | Kochi University of Technology |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ |
| テーマ（英） | Display technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2011-01-EID-IDY-EDD-OMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition of Insulator Film with New Facing Electrodes CVD for Low Temperature Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate insulator |
| キーワード(3)（和/英） | 化学気相堆積法(CVD) / chemical vapor deposition (CVD) |
| キーワード(4)（和/英） | FT-IR / FT-IR |
| キーワード(5)（和/英） | フィルム基板 / Film substrate |
| キーワード(6)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(7)（和/英） | 電気的特性 / electrical property |
| キーワード(8)（和/英） | 誘電率 / dielectric |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル |
| 第2著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 孝浩 / Takahiro Hiramatsu / ヒラマツ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 寛 / Hiroshi Furuta / フルタ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Technol.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平尾 孝 / Takashi Hirao / ヒラオ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： Kochi Univ. of Technol.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-29 09:55:00 |
| 発表時間 | 5分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2010-35 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.404 |
| ページ範囲 | pp.87-90 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-21 (EID) |
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