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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-20 14:20
[招待講演]CMOSの超微細化と3Dシステムの統合協調性
岡本和也佐藤了平阪大エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-131
抄録 (和) 光リソグラフィーの革新により32nm以下の半導体パターンの超微細化が進み,現在1x(nm)トランジスタの議論がされている.しかしながら,この微細化を指導原理として進展してきた半導体技術は,その経済性を中心に大きな岐路に立っている.微細化を支援し,かつ高付加価値を与える系の一つがSi貫通電極(TSV)を用いたウエーハレベル三次元(3D)半導体と考えられ,このコンセプトを含め最終製品仕様から設計・製造・評価まで一連の最適な統合設計環境を構築することが急務である.3D半導体において鍵となるのが,高精度なウエーハレベル接合技術と量産に呼応した測定検査技術,そして3D化との統合協調設計の方法論(SDSI)の具現化である.構想から30年以上の歴史を有する3D半導体を量産・実用化技術へ昇華させるには,数多くの先端技術を有する国内半導体,及び関連技術分野の産官学の関係者が一丸となって開発し,最適解を継続的に生み出す仕組みが求められる.さらに,それを支える新しいシステムの学術領域とその教育システムを構築することも重要である.その結果,市場のスピードを超える開発体制を構築し,将来の日本半導体の国際競争力を高め,スマートシステムの実現に寄与できるものと考えられる. 
(英) Miniaturization technology based on Dennard’s rule for CMOS devices has been progressing technically over time and has conferred a benefit on the life of mankind. Lithography has made amazing progress so far, achieving high resolution at 32nm-L/S or below using 193nm-UV light. However, there is a low probability that this scenario of producing ever-finer feature geometry will continue, because resolution capabilities will possibly reach a critical limit due to CMOS performance threshold and chip economy. Therefore, to assure continued performance improvements and to create added-value by miniaturization for the future devices, a new 3 dimensional (3D) monolithic integration should acquire increased importance. Especially, precision wafer-to-wafer (W2W) bonding using through-Si-via (TSV) interconnect would be an integral part of this technology. This paper describes key issues of the precision W2W bonding and the inspection methodology to meet higher alignment accuracy. Furthermore, a new system design methodology is described. In conclusion, W2W-3D integration with the new system integrated design will be crucial for the miniaturization-life extension and would be incorporated into the future CMOS devices in a practical manner.
キーワード (和) 微細化 / 3次元化 / 貫通電極 / ウエーハレベル実装 / 測定検査 / 統合設計 / /  
(英) Miniaturization / 3D integration / TSV / Wafer bonding / Inspection / System design integration / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 380, ICD2010-131, pp. 29-29, 2011年1月.
資料番号 ICD2010-131 
発行日 2011-01-13 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-131

研究会情報
研究会 ICD IPSJ-ARC  
開催期間 2011-01-20 - 2011-01-21 
開催地(和) 慶応大学(日吉) 
開催地(英) Keio University (Hiyoshi Campus) 
テーマ(和) 集積回路とアーキテクチャの協創~3次元集積回路技術とアーキテクチャ~ 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2011-01-ICD-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CMOSの超微細化と3Dシステムの統合協調性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) CMOS Hyper-Miniaturization and Cooperation with 3D System Design Integration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 微細化 / Miniaturization  
キーワード(2)(和/英) 3次元化 / 3D integration  
キーワード(3)(和/英) 貫通電極 / TSV  
キーワード(4)(和/英) ウエーハレベル実装 / Wafer bonding  
キーワード(5)(和/英) 測定検査 / Inspection  
キーワード(6)(和/英) 統合設計 / System design integration  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 和也 / Kazuya Okamoto / オカモト カズヤ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 了平 / Ryohei Satoh /
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2011-01-20 14:20:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2010-131 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.380 
ページ範囲 p.29 
ページ数 IEICE-1 
発行日 IEICE-ICD-2011-01-13 


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