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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-20 13:30
Pt/Co/α-Cr2O3(0001)薄膜における高い垂直交換バイアスとその特異な温度依存性
及川博人納富隼人藤田敏章白土 優中谷亮一阪大エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2010-53
抄録 (和) 反応性DCマグネトロンスパッタリング法によって作製されたPt/Co/α-Cr2O3(0001) 薄膜における垂直交換バイアスについて検討した.α-Cr2O3層上で,Pt / Co積層膜は垂直磁気異方性(PMA)と垂直交換バイアス(PEB)を示した.PEBは室温では観測されないが,温度を低下させると,例えば,α-Cr2O3膜厚が50 nmの場合には,170 Kで発現する.交換バイアス磁場と飽和磁化から求められた一方向性磁気異方性エネルギー JKは,約0.29 erg/cm2となった.この値は,α-Cr2O3を反強磁性体として用いた系における最大である.さらに温度を低下させると,180 - 80 Kの間で,PEBは低下する.PEBの温度依存性を,MeiklejohnとBeanによって提唱された交換磁気異方性モデルに基づいて議論した結果,PEBの急激な発現は,界面結合エネルギーJintとα-Cr2O3層の磁気異方性エネルギーKAFtAFの競合により説明できることが分かった. 
(英) We investigated perpendicular exchange bias of Pt/Co/α-Cr2O3(0001) thin films which were fabricated by means of DC magnetron sputtering method. The Pt/Co bilayer which was deposited on α-Cr2O3(0001) layer has perpendicular magnetic anisotropy (PMA) and perpendicular exchange bias (PEB). Although PEB is not observed at RT, it appears suddenly at a given temperature, and it had a unique temperature dependence. Unidirectional magnetic anisotropy energy, JK of about 0.29 erg / cm2 is obtained. The mechanism of suddenly appearance of JK is discussed on the basis of Meiklejohn and Bean’s exchange anisotropy model.
キーワード (和) α-Cr2O3薄膜 / 垂直交換バイアス / DCマグネトロンスパッタリング / / / / /  
(英) α-Cr2O3 thin film / Perpendicular exchange bias / DC magnetron sputtering / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, 2011年1月.
資料番号  
発行日 2011-01-13 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS ITE-CE  
開催期間 2011-01-20 - 2011-01-21 
開催地(和) パナソニック企業年金基金 松心会館 
開催地(英) Shoshin-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 映像情報機器,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2011-01-MMS-MR-CE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Pt/Co/α-Cr2O3(0001)薄膜における高い垂直交換バイアスとその特異な温度依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High perpendicular exchange bias with a unique temperature dependence in Pt/Co/α-Cr2O3(0001) thin films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) α-Cr2O3薄膜 / α-Cr2O3 thin film  
キーワード(2)(和/英) 垂直交換バイアス / Perpendicular exchange bias  
キーワード(3)(和/英) DCマグネトロンスパッタリング / DC magnetron sputtering  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 及川 博人 / Hiroto Oikawa / オイカワ ヒロト
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 納富 隼人 / Hayato Noutomi / ノウトミ ハヤト
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 敏章 / Toshiaki Fujita / フジタ トシアキ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 白土 優 / Yu Shiratsuchi / シラツチ ユウ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中谷 亮一 / Ryoichi Nakatani / ナカタニ リョウイチ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2011-01-20 13:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-MR2010-53 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.379 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-MR-2011-01-13 


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