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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-20 14:45
MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて
升方康智石橋翔太冨田博之阪大)・関 貴之前原大樹産総研)・野崎隆行阪大)・久保田 均福島章雄湯浅新治産総研)・鈴木義茂阪大エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2010-55
抄録 (和) 我々は、低い臨界スイッチング電流を示す、Fe-rich組成CoFeBをフリー層に有するトンネル磁気接合素子を用い、スピントルク発振の臨界電流の低減、および発振出力の向上を目指した。膜面垂直磁場においてスピントルク発振を誘起することで、低バイアス領域において面外発振を示唆する明確なブルーシフトを観測した。また、Fe-rich組成CoFeBをフリー層に用いることにより、磁化が歳差運動をした際のフリー層をピン層の相対角度の変化を大きくすることができ、最大で175 nWの発振出力を観測することに成功した。 
(英) A steady magnetization precession induced by spin-torque was studied in magnetic tunnel junctions with an Fe-rich CoFeB free layer under a perpendicular magnetic field. The Fe-rich CoFeB free layer exhibits a low critical current (Ic) for spin-torque induced switching. The low value of Ic for the Fe-rich CoFeB free layer enables us to observe the spin-torque induced rf oscillation even at a low dc bias current (Idc). The oscillation frequency increased with increasing Idc, indicating the out-of-plane precessional mode. Owing to the perpendicular magnetic anisotropy in the Fe-rich CoFeB free layer, the large relative angle between the free and pinned layers can be achieved under the perpendicular magnetic field. Due to this effect and out-of-plane precession of the magnetization, we could observe the large rf output power as high as 175 nW.
キーワード (和) スピントルク発振 / TMR効果 / / / / / /  
(英) Spin torque induced rf oscillation / TMR effect / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, 2011年1月.
資料番号  
発行日 2011-01-13 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS ITE-CE  
開催期間 2011-01-20 - 2011-01-21 
開催地(和) パナソニック企業年金基金 松心会館 
開催地(英) Shoshin-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 映像情報機器,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2011-01-MMS-MR-CE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Toward an increase of the output power from MgO-based tunnel magnetoresistance devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スピントルク発振 / Spin torque induced rf oscillation  
キーワード(2)(和/英) TMR効果 / TMR effect  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 升方 康智 / Yasutomo Masugata / マスガタ ヤストモ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 翔太 / Shota Ishibashi / イシバシ ショウタ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 冨田 博之 / Hiroyuki Tomita / トミタ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 関 貴之 / Takeshi Seki / セキ タケシ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 前原 大樹 / Hiroki Maehara / マエハラ ヒロキ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 野崎 隆行 / Takayuki Nozaki / ノザキ タカユキ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保田 均 / Hitoshi Kubota / クボタ ヒトシ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 章雄 / Akio Fukushima / フクシマ アキオ
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 湯浅 新治 / Shinji Yuasa / ユアサ シンジ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 義茂 / Yoshishige Suzuki / スズキ ヨシシゲ
第10著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ)
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講演者
発表日時 2011-01-20 14:45:00 
発表時間 30 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-MR2010-55 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.379 
ページ範囲 pp.17-19 
ページ数 IEICE-3 
発行日 IEICE-MR-2011-01-13 


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