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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-14 09:55 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大）  ED2010-183 MW2010-143 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-183 MW2010-143 |
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| 抄録 | （和） | バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，ゲートフィールドプレートの導入や裏面電極の付加がバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与える影響について調べた．その結果，アクセプタ濃度が高い場合，ゲートフィールドプレートの導入がラグ現象や電流コラプスの低減に効果的であることが示された．一方，アクセプタ濃度が比較的低い場合には裏面電極の存在がドレインラグや電流コラプスの軽減に効果的であることが示された．これは，バッファ層裏面の電位が固定されると，チャネル・バッファ層界面のバリアが高く保たれ，バッファ層中への電流注入が抑えられてトラッピング効果が軽減されるためと解釈された． |
| （英） | Two-dimensional transient analysis of gate-field-plate AlGaN/GaN HEMTs with a backside electrode is performed in which a deep donor and a deep acceptor are considered in the buffer layer. It is shown that the gate field plate is effective in reducing lag phenomena and current collapse when the acceptor density is high. On the other hand, the backside electrode is effective in reducing drain lag and current collapse when the acceptor density is relatively low, because the fixed potential at the backside electrode reduces electron injection into the buffer layer and the resulting trapping effects. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMT / ドレインラグ / 電流コラプス / トラップ / フィールドプレート / 2次元解析 / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMT / drain lag / current collapse / trap / field plate / two-dimensional analysis / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-183, pp. 45-50, 2011年1月. | |
| 資料番号 | ED2010-183 | |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-183 MW2010-143 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-183 MW2010-143 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2011-01-13 - 2011-01-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional Analysis of Backside-Electrode and Gate-Field-Plate Effects on Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ドレインラグ / drain lag |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(5)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(6)（和/英） | 2次元解析 / two-dimensional analysis |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野寺 啓 / Hiraku Onodera / オノデラ ヒラク |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 敦 / Atsushi Nakajima / ナカジマ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀尾 和重 / Kazushige Horio / ホリオ カズシゲ |
| 第3著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-14 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-183, MW2010-143 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.358(ED), no.359(MW) |
| ページ範囲 | pp.45-50 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) |
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