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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-14 13:25
裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET
金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大ED2010-188 MW2010-148 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-188 MW2010-148
抄録 (和) 2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体を用いた高移動度チャネルMOSFETが一つの候補として考えられる。しかし、Si基板上へのデバイス形成や駆動能力の改善等多くの課題が残されている。今回、ベンゾシクロブテン(BCB)を用いた貼り合せプロセスにより、Si基板上に裏面電極構造を有するInP/InGaAs量子井戸型チャネルMOSFETの作製を行った。裏面電極をゲートとしてバイアスした直流測定において、最大ドレイン電流880mA/mmと伝達コンダクタンス450mS/mmが得られ、裏面電極による駆動能力・飽和特性・シリーズ抵抗の改善を確認した。 
(英) III-V compound semiconductors are one of the candidates as high mobility channel materials for future high performance logic CMOS circuits. We demonstrated InP/InGaAs/InP quantum well channel MOSFET with a back electrode bonded on Si substrate using a benzo cyclo btene (BCB) as an adhesive layer. The thin body channel structure was transferred to Si substrate with smooth interfaces. In the I-V measurement with dual-gate operation, the drain current of 880 mA/mm and peak transconductance of 450 mS/mm were achieved. The saturation characteristics and on/off ratio were also improved. Resultingly, we demonstrate the capability of back electrode structures for high drivability MOSFET.
キーワード (和) MOSFET / III-V族化合物半導体 / 高移動度チャネル / 貼り合せ / / / /  
(英) MOSFET / III-V compound semiconductor / high mobility channel / bonding / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-188, pp. 69-73, 2011年1月.
資料番号 ED2010-188 
発行日 2011-01-06 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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PDFダウンロード ED2010-188 MW2010-148 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-188 MW2010-148

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2011-01-13 - 2011-01-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) III-V quantum well channel MOSFET with back electrode 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(2)(和/英) III-V族化合物半導体 / III-V compound semiconductor  
キーワード(3)(和/英) 高移動度チャネル / high mobility channel  
キーワード(4)(和/英) 貼り合せ / bonding  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺尾 良輔 / Ryousuke Terao / テラオ リョウスケ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 俊介 / Shunsuke Ikeda / イケダ シュンスケ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 米内 義晴 / Yoshiharu Yonai / ヨナイ ヨシハル
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 淳 / Atsushi Kato / カトウ アツシ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者
発表日時 2011-01-14 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-188,IEICE-MW2010-148 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.358(ED), no.359(MW) 
ページ範囲 pp.69-73 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2011-01-06,IEICE-MW-2011-01-06 


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