講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-01-14 14:55
IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 ○河井康史・宇治田信二・福田健志・酒井啓之・上田哲三・田中 毅(パナソニック) ED2010-191 MW2010-151 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-191 MW2010-151 |
抄録 |
(和) |
ミリ波CMOS向けに、インバーテッドマイクロストリップライン(IMSL)を用いた新しいウェハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP)を提案した。IMSLはCMOSプロセスの一部として形成された信号配線と、WLCSPの一部である低誘電体のポリベンゾオキサゾール(PBO)、Cu配線によるグラウンド層から構成される。チップは回路基板上にフリップチップ実装されるが、チップと回路基板の間がグランド層でシールドされていることから高周波特性は実装の影響を受けない。また、200Ωcm以上の抵抗のSi基板を用いることでIMSL伝送線路の損失を効果的に低減することが出来る。110nmCMOSプロセスを用いて設計・試作したIMSLによる1段アンプは58GHzで6.5dBの利得を示し、この技術が実際のミリ波アプリケーションにおいて有効であることが明らかとなった。 |
(英) |
We present a novel wafer-level-chip-size-package (WLCSP) technique with inverted microstrip line (IMSL) for mm-wave Si-CMOS ICs. The IMSL consists of a signal transmission line formed as a part of the CMOS processing and Cu-plated ground plane, where thick low-k PBO (polybenzoxazole) is formed between them. The chip can be flip-chip bonded onto the circuit board, and the RF performance is not affected by the conditions of the assembly. Note that the use of Si-substrates with the resistivity of 200cm or more effectively reduces the transmission loss. The fabricated 1-stage amplifier using 110nm-CMOS devices exhibits a high gain of 6.5dB at 58GHz demonstrating that this technique is a viable choice for practical mm-wave applications. |
キーワード |
(和) |
CMOS FET増幅器 / ミリ波 / MMIC / 伝送線路 / パッケージ / / / |
(英) |
CMOSFET amplifiers / Millimeter wave / monolithic integrated circuits / Transmission line / Packaging / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-191, pp. 87-90, 2011年1月. |
資料番号 |
ED2010-191 |
発行日 |
2011-01-06 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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