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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-14 13:50
InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ
堤 卓也杉谷末広西村一巳井田 実NTTED2010-189 MW2010-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-189 MW2010-149
抄録 (和) InP-IC において大面積を占めるキャパシタ素子の密度を向上させることは、InP-IC の小型化において大変有用である。キャパシタンス密度の向上の方法として、新スタック型MIM(Metal-insulator-metal)キャパシタを考案した。本構造では、2 枚のフォトマスクパタンを繰り返し使うことによってマスクコストを低減できる。さらにサイドコンタクト形成技術によって各層を一括に接続することでスループットを大幅に向上させ、製造コストを低く抑えることができる。今回、5 層スタック型MIM キャパシタ(SiN 膜厚 175 nm)、及び3 層スタック型MIM
キャパシタ(SiN 膜厚 100 nm)を作製し、それぞれにおいて単位容量当たりのリーク電流を増加させることなく、単層キャパシタのそれぞれ約5倍(1.47 fF/um2)、約3 倍(1.72 fF/um2)にキャパシタンス密度が増加することを確
認した。また3 層スタック型MIM キャパシタ(SiN 膜厚100 nm)において、単層キャパシタと同程度の、寄生成分の少ない良好なRF 特性が得られることを確認した。 
(英) Increasing the capacitance density would be a very effective way of making InP IC chips smaller because capacitors occupy a
large area of the chips. As a way of increasing capacitance density, we propose new stacked metal-insulator-metal (MIM) capacitors that
can be fabricated by using only two additional masks alternately and repeatedly. The capacitors can also be fabricated with a short
turn-around time by forming side contact via, which allows each MIM electrode to connect to each other electrically all at once. In the
proposed capacitors with five and three stacked layers, the capacitance density increases by a factor of 5 (1.47 fF/um2) and 3 (1.72 fF/um2) ,
when 175- and 100-nm-thick SiN is used, respectively. The leakage current level is the same as that of a single-layer MIM capacitor. And
RF characteristics of three-layer capacitor with 100-nm-thick SiN show very low parasitic inductance, which is the same as single-layer
capacitor.
キーワード (和) スタック型MIMキャパシタ / サイドコンタクト / InP-IC / 高周波応用 / / / /  
(英) Stacked MIM capacitor / Side contact / InP-IC / RF application / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-189, pp. 75-80, 2011年1月.
資料番号 ED2010-189 
発行日 2011-01-06 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-189 MW2010-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-189 MW2010-149

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2011-01-13 - 2011-01-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) New Stacked Metal-Insulator-Metal Capacitor for future InP-based ICs Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スタック型MIMキャパシタ / Stacked MIM capacitor  
キーワード(2)(和/英) サイドコンタクト / Side contact  
キーワード(3)(和/英) InP-IC / InP-IC  
キーワード(4)(和/英) 高周波応用 / RF application  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi / ツツミ タクヤ
第1著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉谷 末広 / Suehiro Sugitani / スギタニ スエヒロ
第2著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 一巳 / Kazumi Nishimura / ニシムラ カズミ
第3著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 実 / Minoru Ida / イダ ミノル
第4著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2011-01-14 13:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2010-189,IEICE-MW2010-149 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.358(ED), no.359(MW) 
ページ範囲 pp.75-80 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2011-01-06,IEICE-MW-2011-01-06 


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