講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-01-13 15:25
広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁(三菱電機) ED2010-179 MW2010-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-179 MW2010-139 |
抄録 |
(和) |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指したE級動作増幅器に注目が集まっている.出力整合回路にドレイン直列ワイヤや高インピーダンス線路を用いたE級増幅器は比較的容易にE級動作を実現することができるため高効率動作を実現しやすいメリットがある反面,基本波における負荷インピーダンスの周波数特性が大きくなるため出力電力や消費電力の周波数特性が大きくなる問題がある.本報告ではE級動作の条件を保ちつつ出力の周波数特性が平坦となるように分布定数回路構成でE級増幅器を試作した結果について報告する. |
(英) |
In this paper, a broadband high efficiency class-E GaN HEMT amplifier is presented. Recently, many over 100W output power GaN HEMT amplifiers have been developed. Especially, much attention is paid for Class-E GaN HEMT amplifiers, which will be used in mobile communication infrastructure systems. In general, class-E operation can be easily realized by employing long drain wires or high impedance lines to form appropriate higher harmonic terminations. However, such kind of class-E amplifiers tend to suffer from large frequency dependence of output power due to its nature. In this work, an L-band class-E amplifier is developed, which features distributed circuit topology to obtain flat frequency response characteristics. |
キーワード |
(和) |
GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / / |
(英) |
GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 359, MW2010-139, pp. 23-28, 2011年1月. |
資料番号 |
MW2010-139 |
発行日 |
2011-01-06 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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