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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-13 15:25
広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器
山中宏治湯之上則弘茶木 伸中山正敏平野嘉仁三菱電機ED2010-179 MW2010-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-179 MW2010-139
抄録 (和) GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指したE級動作増幅器に注目が集まっている.出力整合回路にドレイン直列ワイヤや高インピーダンス線路を用いたE級増幅器は比較的容易にE級動作を実現することができるため高効率動作を実現しやすいメリットがある反面,基本波における負荷インピーダンスの周波数特性が大きくなるため出力電力や消費電力の周波数特性が大きくなる問題がある.本報告ではE級動作の条件を保ちつつ出力の周波数特性が平坦となるように分布定数回路構成でE級増幅器を試作した結果について報告する. 
(英) In this paper, a broadband high efficiency class-E GaN HEMT amplifier is presented. Recently, many over 100W output power GaN HEMT amplifiers have been developed. Especially, much attention is paid for Class-E GaN HEMT amplifiers, which will be used in mobile communication infrastructure systems. In general, class-E operation can be easily realized by employing long drain wires or high impedance lines to form appropriate higher harmonic terminations. However, such kind of class-E amplifiers tend to suffer from large frequency dependence of output power due to its nature. In this work, an L-band class-E amplifier is developed, which features distributed circuit topology to obtain flat frequency response characteristics.
キーワード (和) GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / /  
(英) GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 359, MW2010-139, pp. 23-28, 2011年1月.
資料番号 MW2010-139 
発行日 2011-01-06 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-179 MW2010-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-179 MW2010-139

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2011-01-13 - 2011-01-14 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2011-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Broadband High Efficiency Class-E GaN HEMT Amplifier 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT  
キーワード(2)(和/英) 高電圧 / High-voltage techniques  
キーワード(3)(和/英) MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 湯之上 則弘 / Norihiro Yunoue / ユノウエ ノリヒロ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 茶木 伸 / Shin Chaki / チャキ シン
第3著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 正敏 / Masatoshi Nakayama / ナカヤマ マサトシ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano / ヒラノ ヨシヒト
第5著者 所属(和/英) 三菱電機 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric (略称: Mitsubishi Electric)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-01-13 15:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 ED2010-179, MW2010-139 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.358(ED), no.359(MW) 
ページ範囲 pp.23-28 
ページ数
発行日 2011-01-06 (ED, MW) 


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