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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 11:10
a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ
進藤隆彦奥村忠嗣伊藤 瞳小口貴之高橋大佑渥美裕樹姜 ジュンヒョン長部 亮雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2010-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-118
抄録 (和) LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されており、その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、我々は半導体薄膜レーザの電流動作化に向けて、横方向電流注入構造を導入し、横方向電流注入型FPレーザを半絶縁性InP基板上に試作してきた。今回、表面回折格子構造を用い横方向電流注入型DFBレーザの試作を行った。まず、ストライプ表面のGaInAsP層を直接エッチングすることで横方向電流注入構造としては初めての単一モードでの発振を確認し、更にa-Siを用いた表面回折格子を導入したDFBレーザを作製し、室温連続動作条件下でしきい値電流値7.0 mA、外部微分量子効率43%の良好な発振特性を実現したのでご報告する。 
(英) The performance of LSI will hit performance ceiling by global wiring data capacity with technological progress like a signal delay or thermal problem. One of the promising candidates to solve this problem is replacing the electrical global wiring on chip by an optical interconnection. A semiconductor membrane laser, which consists of a high-ondex contrast waveguide, is expected to operate with ultra low threshold current due to an enhanced modal gain. We have introduced a lateral current injection (LCI) structure for electrical pumped membrane laser. In this paper, we tried to demonstrate LCI type DFB laser with surface grating structure. At first, we fabricated the LCI-DFB laser with etched GaInAsP surface grating, and realized the first single mode operation of LCI-DFB laser under Furthermore, we introduced a-Si surface grating structure in LCI laser and improved lasing characteristics. A low threshold current of 7.0 mA, and high differential quantum efficiency from a front facet of 43% were obtained under a room-temperature continuous-wave condition.
キーワード (和) 半導体薄膜レーザ / 横方向電流注入 / 強光閉じ込め / 表面回折格子 / / / /  
(英) Semiconductor membrane laser / Lateral current injection / Strong optical confinement / Surface grating / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-118, pp. 17-22, 2010年12月.
資料番号 LQE2010-118 
発行日 2010-12-10 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2010-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-118

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2010-12-17 - 2010-12-17 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2010-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Lateral Current Injection 1550nm Wavelength DFB Laser with a-Si Surface Grating 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体薄膜レーザ / Semiconductor membrane laser  
キーワード(2)(和/英) 横方向電流注入 / Lateral current injection  
キーワード(3)(和/英) 強光閉じ込め / Strong optical confinement  
キーワード(4)(和/英) 表面回折格子 / Surface grating  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 進藤 隆彦 / Takahiko Shindo / シンドウ タカヒコ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 忠嗣 / Tadashi Okumura / オクムラ タダシ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 瞳 / Hitomi Ito / イトウ ヒトミ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小口 貴之 / Takayuki Koguchi / コグチ タカユキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 大佑 / Daisuke Takahashi / タカハシ ダイスケ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi / アツミ ユウキ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 姜 ジュンヒョン / Joonhyun Kang / カン ジュンヒョン
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 長部 亮 / Ryo Osabe / オサベ リョウ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Quantum Nanoelectronics Research Center (略称: Tokyo Tech)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第10著者 所属(和/英) 東京工業大学 電気電子工学専攻 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Department of Electrical and Electronic Engineering (略称: Tokyo Tech)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第11著者 所属(和/英) 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology Quantum Nanoelectronics Research Center (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 11:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2010-118 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.353 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2010-12-10 (LQE) 


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