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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 13:00
層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生
出崎 光田邉匡生小山 裕東北大ED2010-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-169
抄録 (和) マイクロ波と赤外光の中間周波数帯「テラヘルツギャップ」の広帯域、高効率光源開発へ向け、本発表では非線形光学結晶における差周波発生原理に基づいた固体レーザー励起パルステラヘルツ光源とその特性について述べる。非線形光学結晶には複屈折性を有する層状半導体GaSe を選び、励起光源にはNd:YAG レーザー励起Cr:Forsterite レーザーによる1.2μm 帯近赤外光を用いた。 
(英) This paper presents the characteristics of 1.2m - laser pumped wide frequency tunable terahertz (THz) light source based on difference frequency generation (DFG) with an excitation of phonon - polariton in Gallium Selenide (GaSe) crystal. The pump and signal lasers used are 1.2m Cr:Forsterite lasers. The tuning range of the THz - wave frequency covers from 0.3 THz to 4.8 THz (type oee phase matching) and 8.3 THz to 10.2 THz (type eoo phase matching) under collinear phase matching conditions. It is shown that the maximum conversion efficiency is ~10-6 , which is about 3 order in magnitude larger than that of Gallium Phosphide (GaP) crystal.
キーワード (和) テラヘルツ波 / 非線形光学効果 / フォノン・ポラリトン / GaSe結晶 / / / /  
(英) THz-wave / Nonlinear optical effect / Phonon - polariton / GaSe crystal / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 342, ED2010-169, pp. 65-68, 2010年12月.
資料番号 ED2010-169 
発行日 2010-12-09 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-169 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-169

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-12-16 - 2010-12-17 
開催地(和) 東北大学 電気通信研究所 
開催地(英) Tohoku University (Research Institute of Electrical Communication) 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter wave, terahertz devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Continuously tunable ultra broadband terahertz generation implemented with 1.2μm NIR pumping of GaSe 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ波 / THz-wave  
キーワード(2)(和/英) 非線形光学効果 / Nonlinear optical effect  
キーワード(3)(和/英) フォノン・ポラリトン / Phonon - polariton  
キーワード(4)(和/英) GaSe結晶 / GaSe crystal  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 出崎 光 / Hikari Dezaki / デザキ ヒカリ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田邉 匡生 / Tadao Tanabe / タナベ タダオ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 裕 / Yutaka Oyama /
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-169 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.342 
ページ範囲 pp.65-68 
ページ数
発行日 2010-12-09 (ED) 


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