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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 16:50
端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ
川口真生春日井秀紀左文字克哉萩野裕幸折田賢児山中一彦油利正昭瀧川信一パナソニックLQE2010-127 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-127
抄録 (和) GaN系材料を用いた高出力半導体レーザは、ディスプレイ、光記録、加工などの幅広いアプリケーションのキーデバイスとして期待されている。半導体レーザの高出力化には、光吸収に起因する端面破壊の抑制が特に重要であり、光出射端面の禁制帯を選択的にワイドギャップ化して光非吸収にする端面窓構造の有効性が知られている。我々は、この端面窓構造を有する青紫レーザを、段差溝を設けたGaN基板上にレーザ構造をエピタキシャル成長する新たな手法により世界で初めて実現した。段差溝により近傍の結晶面の傾きを制御することで、活性層のIn組成を減少させ、結晶成長面の一部を局所的にワイドバンドギャップ化させることができる。これを利用し、光出射端面をワイドバンドギャップ化した青紫レーザを試作し、端面破壊を抑制して2Wを超える高い光出力を得た。 
(英) High-power GaN-based laser diodes (LDs) are expected as light-source of various high-power applications. The catastrophic-optical-damage (COD) is a major failure mechanism to limit the output power, where optical absorption at a light-emitting facet causes an irreversible damage to the LDs. In this paper, a window structure in InGaN-based LDs to suppress the COD is demonstrated for the first time. The structure is formed by the MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) growth over a recess placed besides of the ridge-waveguide. The In composition in the QW is reduced by controlling the local orientation angle at the sidewall of the recess. Thus formed window structure eliminates undesired optical absorption at the cleaved facet so that extremely high output power over 2W in narrow-stripe ridge-waveguide InGaN-based blue-violet LDs is achieved without any CODs.
キーワード (和) 高出力 / 窒化ガリウム / レーザ / 端面窓構造 / / / /  
(英) High-power / Gallium nitride / Laser diode / Window structure / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-127, pp. 59-62, 2010年12月.
資料番号 LQE2010-127 
発行日 2010-12-10 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2010-127 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-127

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2010-12-17 - 2010-12-17 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2010-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-power blue-violet laser diodes with window structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 高出力 / High-power  
キーワード(2)(和/英) 窒化ガリウム / Gallium nitride  
キーワード(3)(和/英) レーザ / Laser diode  
キーワード(4)(和/英) 端面窓構造 / Window structure  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川口 真生 / Masao Kawaguchi / カワグチ マサオ
第1著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 春日井 秀紀 / Hideki Kasugai / カスガイ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 左文字 克哉 / Katsuya Samonji / サモンジ カツヤ
第3著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 萩野 裕幸 / Hiroyuki Hagino / ハギノ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 折田 賢児 / Kenji Orita / オリタ ケンジ
第5著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 一彦 / Kazuhiko Yamanaka / ヤマナカ カズヒコ
第6著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 油利 正昭 / Yuri Masaaki / マサアキ ユリ
第7著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀧川 信一 / Shinichi Takigawa / タキガワ シンイチ
第8著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 16:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2010-127 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.353 
ページ範囲 pp.59-62 
ページ数
発行日 2010-12-10 (LQE) 


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