講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-17 16:50
端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ ○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一(パナソニック) LQE2010-127 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-127 |
抄録 |
(和) |
GaN系材料を用いた高出力半導体レーザは、ディスプレイ、光記録、加工などの幅広いアプリケーションのキーデバイスとして期待されている。半導体レーザの高出力化には、光吸収に起因する端面破壊の抑制が特に重要であり、光出射端面の禁制帯を選択的にワイドギャップ化して光非吸収にする端面窓構造の有効性が知られている。我々は、この端面窓構造を有する青紫レーザを、段差溝を設けたGaN基板上にレーザ構造をエピタキシャル成長する新たな手法により世界で初めて実現した。段差溝により近傍の結晶面の傾きを制御することで、活性層のIn組成を減少させ、結晶成長面の一部を局所的にワイドバンドギャップ化させることができる。これを利用し、光出射端面をワイドバンドギャップ化した青紫レーザを試作し、端面破壊を抑制して2Wを超える高い光出力を得た。 |
(英) |
High-power GaN-based laser diodes (LDs) are expected as light-source of various high-power applications. The catastrophic-optical-damage (COD) is a major failure mechanism to limit the output power, where optical absorption at a light-emitting facet causes an irreversible damage to the LDs. In this paper, a window structure in InGaN-based LDs to suppress the COD is demonstrated for the first time. The structure is formed by the MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) growth over a recess placed besides of the ridge-waveguide. The In composition in the QW is reduced by controlling the local orientation angle at the sidewall of the recess. Thus formed window structure eliminates undesired optical absorption at the cleaved facet so that extremely high output power over 2W in narrow-stripe ridge-waveguide InGaN-based blue-violet LDs is achieved without any CODs. |
キーワード |
(和) |
高出力 / 窒化ガリウム / レーザ / 端面窓構造 / / / / |
(英) |
High-power / Gallium nitride / Laser diode / Window structure / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-127, pp. 59-62, 2010年12月. |
資料番号 |
LQE2010-127 |
発行日 |
2010-12-10 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
LQE2010-127 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-127 |