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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 10:55
Development of Procedure for Modeling MOSFET Compatible with ITRS -- Noise and I-V Characteristics Modeling for RF/Analog MOSFET --
Sin-Nyoung KimAkira TsuchiyaHidetoshi OnoderaKyoto Univ.ICD2010-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2010-119
抄録 (和) A procedure for modeling MOSFET compatible with ITRS is proposed. Compared to the PTM, this work focuses on how to generate the predictive MOSFET model cards.
Achieving the predictive MOSFET model cards from digital to RF/analog circuit design, this procedure facilitates early design research and supports joint technology-design exploration for optimal nanoscale integration. 
(英) A procedure for modeling MOSFET compatible with ITRS is proposed. Compared to the PTM, this work focuses on how to generate the predictive MOSFET model cards.
Achieving the predictive MOSFET model cards from digital to RF/analog circuit design, this procedure facilitates early design research and supports joint technology-design exploration for optimal nanoscale integration.
キーワード (和) Predictive model / Procedure for modeling / Model card generation / RF/analog MOSFET / Intermediate model / Compatibility with ITRS / Prediction of noise /  
(英) Predictive model / Procedure for modeling / Model card generation / RF/analog MOSFET / Intermediate model / Compatibility with ITRS / Prediction of noise /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-119, pp. 119-123, 2010年12月.
資料番号 ICD2010-119 
発行日 2010-12-09 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2010-12-16 - 2010-12-17 
開催地(和) 東京大学 先端科学技術研究センター 
開催地(英) RCAST, Univ. of Tokyo 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英) Workshop for Graduate Student and Young Researchers 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2010-12-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of Procedure for Modeling MOSFET Compatible with ITRS 
サブタイトル(英) Noise and I-V Characteristics Modeling for RF/Analog MOSFET 
キーワード(1)(和/英) Predictive model / Predictive model  
キーワード(2)(和/英) Procedure for modeling / Procedure for modeling  
キーワード(3)(和/英) Model card generation / Model card generation  
キーワード(4)(和/英) RF/analog MOSFET / RF/analog MOSFET  
キーワード(5)(和/英) Intermediate model / Intermediate model  
キーワード(6)(和/英) Compatibility with ITRS / Compatibility with ITRS  
キーワード(7)(和/英) Prediction of noise / Prediction of noise  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 信寧 / Sin-Nyoung Kim / キム シンニュン
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 土谷 亮 / Akira Tsuchiya / ツチヤ アキラ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2010-12-17 10:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2010-119 
巻番号(vol) IEICE-110 
号番号(no) no.344 
ページ範囲 pp.119-123 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2010-12-09 


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