講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-17 16:05
ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 ○岡部泰典・近藤健二(東北学院大)・広瀬研太・鈴木順季・北原邦紀(島根大)・原 明人(東北学院大) SDM2010-199 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-199 |
抄録 |
(和) |
多結晶半導体からなる薄膜トランジスタ(TFT)の移動度は結晶粒径に依存する。我々は、前駆体として非晶質Si1-xGexを用いた連続波(CW)レーザによるラテラル結晶化により、poly-Si薄膜に比較して大粒径の多結晶薄膜を形成できることを既に報告している。また、Si1-xGexの溶融温度は、Si薄膜のそれよりも低い。したがって、非晶質Si1-xGexを用いれば、ガラスへの熱損傷を低減しつつ、大粒径の多結晶半導体薄膜を実現することが可能である。本研究では、ガラス基板上に550℃の低温プロセスで大粒径poly-Si0.95Ge0.05 TFTを製作し性能評価を行った。その結果、n-ch 移動度145 cm2/Vsを実現した。 |
(英) |
It is recognized that field-effect mobility of TFTs increases with grain size. We reported previously that it is possible to fabricate lateral large-grained poly-Si1-xGex films by continuous wave (cw) laser lateral crystallization using amorphous Si1-xGex as the precursor. The melting temperature of Si1-xGex films is lower than that of Si films. Therefore, the application of lateral large-grained poly-Si1-xGex films to TFTs on glass substrates will yield high-performance TFTs and reduce the thermal damage to the substrates. In this study, we fabricated poly-Si0.95Ge0.05 TFTs on glass substrates at a low process temperature of 550°C and obtained n-channel field-effect mobility of 145 cm2/Vs. |
キーワード |
(和) |
Si1-xGex / 薄膜トランジスタ / TFT / 多結晶薄膜 / 太陽電池 / / / |
(英) |
Si1-xGex / Thin Film Transistors / TFT / Polycrystalline film / solar cell / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-199, pp. 79-82, 2010年12月. |
資料番号 |
SDM2010-199 |
発行日 |
2010-12-10 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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