| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 11:15 ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT）  ED2010-168 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-168 |
|
| 抄録 | （和） | InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いInAs 層を導入したInGaAs/InAs/InGaAs コンポジットチャネルHEMT がある．本研究においては，In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As コンポジットチャネルHEMT に関するモンテカルロ計算を行い，チャネル構造のデバイス特性への影響を検討した．In0.7Ga0.3As チャネル層内に厚さ2～8 nm のInAs 層を設けた．InAs 層を2 nm 導入しただけでも，In0.7Ga0.3As チャネルの場合と比較してドレイン電流Ids や相互コンダクタンスgm，遮断周波数fT は２倍程度に増大する．InAs 層を更に厚くした場合，Ids，gm，fT の増大はそれほど大きくはない．Ids，gm，fT の増大は主に，InAs 層の導入によりチャネル層中の電子速度が大幅に増大するためである．一方，チャネル層中の電子密度はInAs 層を導入してもそれほど大きくは変化しないことが分かった．更に，コンポジットチャネルHEMT を実際に作製し，In0.7Ga0.3As チャネルHEMT の場合と比較した． |
| （英） | To achieve high-speed operations of InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs, an InGaAs/InAs/InGaAs composite layer is used as a channel. In this work, we carried out Monte Carlo (MC) simulations of In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite channel HEMTs and examined the effect of the channel structure on the device performance. The InAs layer with a thickness range from 2 to 8 nm was introduced into the In0.7Ga0.3As channel. Even for the InAs layer thickness of 2 nm, a twofold increase in the drain-source current Ids , transconductance gm and cutoff frequency fT was seen. With further increasing the InAs layer thickness, the increase of Ids, gm and fT was not so much. The increase in Ids, gm and fT mainly results from the increase in the electron velocity by introducing the InAs layer into the channel. On the other hand, the increase in the electron density by introducing the InAs layer was small. Furthermore, we fabricated composite channel HEMTs and compared their device performance with those of In0.7Ga0.3As channel HEMTs. | |
| キーワード | （和） | InP系HEMT / In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As / コンポジットチャネル / モンテカルロシミュレーション / ドレイン電流 / 相互コンダクタンス / 遮断周波数 / 電子速度 |
| （英） | In-based HEMTs / In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As / Composite channel / Monte Carlo simulations / Drain-source current / Transconductance / Cutoff frequency / Electron velocity | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 342, ED2010-168, pp. 59-64, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ED2010-168 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-168 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-168 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku University (Research Institute of Electrical Communication) |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave, terahertz devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monte Carlo Simulations of Nanogate In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As Composite Channel HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系HEMT / In-based HEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As / In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As |
| キーワード(3)（和/英） | コンポジットチャネル / Composite channel |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulations |
| キーワード(5)（和/英） | ドレイン電流 / Drain-source current |
| キーワード(6)（和/英） | 相互コンダクタンス / Transconductance |
| キーワード(7)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(8)（和/英） | 電子速度 / Electron velocity |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： NICT/Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通研究所/情報通信研究機構 (略称： 富士通研/NICT) Fujitsu Laboratories Ltd./National Institute of Information and Communications Technology (略称： Fujitsu Labs./NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-168 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.342 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]