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| 講演名 | 2010-12-17 10:35 ［招待講演］準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス ○酒井啓之・黒田正行・根来 昇・村田智洋・永井秀一・西嶋将明・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2010-167 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-167 |
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| 抄録 | （和） | 準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を用い、独自のレーザ加工プロセスによりビアホールを形成してマイクロストリップ線路ベースのMMICを実現、26GHz帯で22dBの利得を得た。さらにサファイア基板をパッケージの一部とする新しいチップサイズパッケージを提案し、Ka帯での動作を実証した。送信用には放熱に優れたSi基板を用い、結晶状SiNゲート絶縁膜でゲート破壊耐圧を向上、55Vの電源電圧で10.7W(26.5GHz)の高出力を実現した。 |
| （英） | We present GaN Devices on low cost substrates for long-distance millimeter-wave communication. Sapphire substrates are used for receiver devices. A Microstrip line based MMIC which shows a gain of 22dB at 26GHz is fabricated by using laser drilling technique on the sapphire substrate. A novel chip size package using the sapphire substrate is also demonstrated. Si substrates are used for transmitter devices. Fabricated transistor which has crystalline SiN gate insulator exhibits an output power as high as 10.7W at 26.5GHz, 55V supply voltage. | |
| キーワード | （和） | GaN / ミリ波 / Si基板 / サファイア基板 / 長距離伝送 / 増幅器 / チップサイズパッケージ / |
| （英） | GaN / millimeter-wave / Si / sapphire / long-distance communication / amplifier / chip size package / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 342, ED2010-167, pp. 53-58, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ED2010-167 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-167 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku University (Research Institute of Electrical Communication) |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave, terahertz devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Devices on Low Cost Substrates for Long-distance Millimeter-wave Communication |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(3)（和/英） | Si基板 / Si |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / sapphire |
| キーワード(5)（和/英） | 長距離伝送 / long-distance communication |
| キーワード(6)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(7)（和/英） | チップサイズパッケージ / chip size package |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 啓之 / Hiroyuki Sakai / サカイ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 正行 / Masayuki Kuroda / クロダ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根来 昇 / Noboru Negoro / ネゴロ ノボル |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 智洋 / Tomohiro Murata / ムラタ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 秀一 / Shuichi Nagai / ナガイ シュウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西嶋 将明 / Masaaki Nishijima / ニシジマ マサアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 按田 義治 / Yoshiharu Anda / アンダ ヨシハル |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第8著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 10:35:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-167 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.342 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ED) |
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