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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 11:20
多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング
長谷川光洋平田憲司高山 環舟谷友宏冬木 隆奈良先端大SDM2010-189 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-189
抄録 (和) 近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減という面から、歩留りよく高効率な薄型シリコン太陽電池を作製できるプロセスの開発が急務となっている。そこで本研究では、低温プロセスであるレーザーを用いたドーピング法による多結晶太陽電池の作製を目的とする。これまでに、波長532nmのNd:YVO4レーザーを用いて太陽電池を作製し、多結晶基板において懸念されていた結晶粒界による悪影響がないことを確認した。また、レーザー照射により基板表面にキャビティが形成されることがわかった。さらに、レーザー照射を2回行うことでキャビティの除去及び特性の向上が確認できた。 
(英) In the fabrication of silicon solar cells process, laser doping (LD) technique is recently gathering many attentions because of its advantages such as be operated at room temperature and in the atmosphere. In this study, we tried to apply laser doping method for the emitter formation in multi-crystalline silicon solar cell. As the result, enough photovoltaic properties were achieved by illuminated I-V measurements. In addition, evaluation by EL imaging technique was verified that LD technique can be applied to fabricate multi-crystalline silicon solar cells. Furthermore, by laser irradiation, it has been clarified that cavity is formed on silicon surface.
キーワード (和) 多結晶シリコン / 太陽電池 / レーザードーピング / / / / /  
(英) Multi-crystalline Silicon / Solar Cell / aser Doping / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-189, pp. 25-28, 2010年12月.
資料番号 SDM2010-189 
発行日 2010-12-10 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-189 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-189

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-12-17 - 2010-12-17 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Laser Doping at Room Temperature in Multi-Crystalline Silicon Solar Cell Process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多結晶シリコン / Multi-crystalline Silicon  
キーワード(2)(和/英) 太陽電池 / Solar Cell  
キーワード(3)(和/英) レーザードーピング / aser Doping  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷川 光洋 / Mitsuhiro Hasegawa / ハセガワ ミツヒロ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平田 憲司 / Kenji Hirata / ヒラタ ケンジ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高山 環 / Tamaki Takayama / タカヤマ タマキ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 舟谷 友宏 / Tomohiro Funatani / フナタニ トモヒロ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 11:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-189 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.351 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数
発行日 2010-12-10 (SDM) 


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