講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-16 14:10
グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮 ○寺西豊志・鈴木左文・静野 薫・浅田雅洋(東工大)・杉山弘樹・横山春喜(NTT) ED2010-159 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-159 |
抄録 |
(和) |
InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において,グレーデッドエミッタを導入した構造を作製し,0.6~1 THzの発振特性からコレクタ空乏層の電子走行時間を見積もった.その結果,グレーデッドエミッタが走行時間の短縮に効果があることがわかった.これはコレクタ空乏層の印加電界が低下したことによりΓ-Lバンド間遷移が減少したことによると考えられ,簡単な理論的見積もりとよく一致した. |
(英) |
We fabricated terahertz oscillators using GaInAs/AlAs double-barrier resonant tunneling diodes with graded emitters on InP substrate, and estimated the transit time across the collector depletion region from oscillation characteristics in 0.6-1 THz range. It was found that the graded emitter structure was effective for reduction of the transit time. This result was in good agreement with a simple theoretical analysis, and attributed to reduction of the transition between $\gamma$ and L bands due to low electric field in the collector depletion region. |
キーワード |
(和) |
共鳴トンネルダイオード / テラヘルツ発振器 / グレーデッドエミッタ / コレクタ走行時間 / / / / |
(英) |
resonant tunneling diodes / terahertz oscillator / graded emitter / collector transit time / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 342, ED2010-159, pp. 7-12, 2010年12月. |
資料番号 |
ED2010-159 |
発行日 |
2010-12-09 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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