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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-16 14:10
グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮
寺西豊志鈴木左文静野 薫浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2010-159 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-159
抄録 (和) InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において,グレーデッドエミッタを導入した構造を作製し,0.6~1 THzの発振特性からコレクタ空乏層の電子走行時間を見積もった.その結果,グレーデッドエミッタが走行時間の短縮に効果があることがわかった.これはコレクタ空乏層の印加電界が低下したことによりΓ-Lバンド間遷移が減少したことによると考えられ,簡単な理論的見積もりとよく一致した. 
(英) We fabricated terahertz oscillators using GaInAs/AlAs double-barrier resonant tunneling diodes with graded emitters on InP substrate, and estimated the transit time across the collector depletion region from oscillation characteristics in 0.6-1 THz range. It was found that the graded emitter structure was effective for reduction of the transit time. This result was in good agreement with a simple theoretical analysis, and attributed to reduction of the transition between $\gamma$ and L bands due to low electric field in the collector depletion region.
キーワード (和) 共鳴トンネルダイオード / テラヘルツ発振器 / グレーデッドエミッタ / コレクタ走行時間 / / / /  
(英) resonant tunneling diodes / terahertz oscillator / graded emitter / collector transit time / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 342, ED2010-159, pp. 7-12, 2010年12月.
資料番号 ED2010-159 
発行日 2010-12-09 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-159 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-159

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-12-16 - 2010-12-17 
開催地(和) 東北大学 電気通信研究所 
開催地(英) Tohoku University (Research Institute of Electrical Communication) 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter wave, terahertz devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Transit Time Reduction with Graded Emitter in Resonant Tunneling Diode Terahertz Oscillators 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diodes  
キーワード(2)(和/英) テラヘルツ発振器 / terahertz oscillator  
キーワード(3)(和/英) グレーデッドエミッタ / graded emitter  
キーワード(4)(和/英) コレクタ走行時間 / collector transit time  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺西 豊志 / Atsushi Teranishi / テラニシ アツシ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 左文 / Safumi Suzuki / スズキ サフミ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 静野 薫 / Kaoru Shizuno / シズノ カオル
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅田 雅洋 / Masahiro Asada / アサダ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ
第5著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ
第6著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-16 14:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-159 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.342 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2010-12-09 (ED) 


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