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| 講演名 | 2010-12-16 15:10 ［ポスター講演］測定時の劣化の影響を除去した高速NBTI回復特性センサーの検討 ○松本高士・牧野紘明（京大）・小林和淑（京都工繊大/JST）・小野寺秀俊（京大/JST）  ICD2010-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2010-104 |
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| 抄録 | （和） | 本論文において我々は400nsの測定遅延を持つNBTI回復センサー回路を提案した。本回路は多数のユニットセルを含む。1つのユニットセルは10個のDUT (PMOS) と2つのアシストNMOSから構成され、DUTのリーク電流を測定することでNBTIを評価する。多数のユニットセルを並列化することでリーク電流を増幅し、さらにアシスト回路によって測定装置内の電流計への突入電流を減少させ電流測定レンジを一定に保つことができる。その結果測定遅延400nsという高速な測定が可能となった。50℃から125℃、回復時間400nsから3000sの範囲において、NBTIの回復がlog t に従うことが明らかになった。すなわち数千のPMOSを同時に劣化・回復させることにより、NBTIの起源であるゲート絶縁膜界面付近の正に帯電した欠陥の時定数が対数分布していることを観測した。本提案手法はオフリーク電流を用いているため、NBTI回復測定に対し最大のfidelityを持つという特徴がある。 |
| （英） | We proposed an NBTI-recovery sensor with 400ns measurement delay. This sensor contains many unit cells. One unit cell includes ten PMOS DUTs and two assist NMOSes. Parallelizing many unit cells can amplify the leakage current and the assist circuit can reduce the rush current to the ammeter that keeps the measurement range of ammeter constant during measurement. Fast measurement delay is achieved by these two factors. It is confirmed that from 50\(^\circ\)C to 125\(^\circ\)C, NBTI recovery follows log t from 400ns to 3000s. By degrading and recovering thousands of PMOS transistors at the same time, we can observe that the time constants of positively charged defects which are related to NBTI are log-uniformly distributed in the PMOS devices. Also this circuit has the highest fidelity to NBTI recovery measurement because off-leak current is used for NBTI recovery characterization and stress is not added during measurement. |
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| キーワード | （和） | dependable VLSI / CMOS / NBTI / / / / / |
| （英） | dependable VLSI / CMOS / NBTI / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-104, pp. 55-58, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ICD2010-104 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2010-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東京大学 先端科学技術研究センター |
| 開催地（英） | RCAST, Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | Workshop for Graduate Student and Young Researchers |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 測定時の劣化の影響を除去した高速NBTI回復特性センサーの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 65nm CMOS High-Speed and High-Fidelity NBTI Recovery Sensor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | dependable VLSI / dependable VLSI |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | NBTI / NBTI |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 高士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧野 紘明 / Hiroaki Makino / マキノ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大/JST) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大/JST) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-16 15:10:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-104 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.344 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) |
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