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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-01 09:50
電力を再構成可能なFlex Power FPGAの低電力プロセスによる試作と評価
日置雅和産総研)・河並 崇金沢工大)・松本洋平東京海洋大)・堤 利幸明大)・中川 格関川敏弘小池帆平産総研RECONF2010-45
抄録 (和) 電力を再構成可能なFPGAであるFlex Power FPGAは,スタティック電力の削減を目的としている.Flex Power FPGAにおいて,スタティック電力の起源であるオフ電流の削減効果は,MOSFETにボディバイアスを印加した際のオフ電流の変化幅と回路内の低しきい値MOSFETの割合の両方に依存する.近年,様々なアプリケーションにおける動作速度の高速化や消費電力の低減といった動作スペックに対する厳しい要求を満足するために,ある一つのテクノロジーノードの中で複数のプロセスが用意されている.更に,それぞれのプロセスにおいて特性の異なる複数の種類のMOSFETがあり,これらを選択的に用いて集積回路の設計が可能である.そして,これらのMOSFETのボディバイアス時のオフ電流の変化の振る舞いはそれぞれで異なる.今回は,オフ電流の変化幅の大きい低電力プロセスのMOSFETを用いてFlex Power FPGAを試作し,オフ電流削減効果を評価した. 
(英) Flex Power FPGA that is FPGA with power reconfigurability aims at the reduction of static power. The reduction of off current in which the static power originates in Flex Power FPGA depends on both the variation width of an off current of MOSFET when the body bias voltage is applied and the fraction of MOSFET with low threshold voltage in a circuit. In the recent years, two or more fabrication processes are prepared in a technology node to satisfy the severe demands on the operational specifications such as a faster operating frequency and lower power consumption in the various target applications. In addition, two or more kinds of MOSFET with a different characteristic exist in each process and the integrated circuit can be designed by selectively using these MOSFETs. And, the behavior of the change in an off current when the body bias voltage is applied to these MOSFETs is different respectively. In this paper, Flex Power FPGA is fabricated by the low power 90nm CMOS process where the variation width of an off current by the applying of the body bias voltage is larger and the off current reduction is evaluated.
キーワード (和) Flex Power FPGA / オフ電流 / 低電力プロセス / / / / /  
(英) Flex Power FPGA / Off current / Low power process / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 319, RECONF2010-45, pp. 37-42, 2010年11月.
資料番号 RECONF2010-45 
発行日 2010-11-23 (RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード RECONF2010-45

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2010-11-29 - 2010-12-01 
開催地(和) 九州大学医学部百年講堂 
開催地(英) Kyushu University 
テーマ(和) デザインガイア2010 ―VLSI設計の新しい大地― 
テーマ(英) Design Gaia 2010 ―New Field of VLSI Design― 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 RECONF 
会議コード 2010-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電力を再構成可能なFlex Power FPGAの低電力プロセスによる試作と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication in Low Power Process and Evaluation of Power Reconfigurable Field Programmable Gate Array 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Flex Power FPGA / Flex Power FPGA  
キーワード(2)(和/英) オフ電流 / Off current  
キーワード(3)(和/英) 低電力プロセス / Low power process  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 日置 雅和 / Masakazu Hioki / ヒオキ マサカズ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 河並 崇 / Takashi Kawanami / カワナミ タカシ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 洋平 / Yohei Matsumoto / マツモト ヨウヘイ
第3著者 所属(和/英) 東京海洋大学 (略称: 東京海洋大)
Tokyo University of Marine Science and Technology (略称: TUMSAT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 堤 利幸 / Toshiyuki Tsutsumi / ツツミ トシユキ
第4著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 格 / Tadashi Nakagawa / ナカガワ タダシ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 関川 敏弘 / Toshihiro Sekigawa / セキガワ トシヒロ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 帆平 / Hanpei Koike / コイケ ハンペイ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-01 09:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 RECONF 
資料番号 RECONF2010-45 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.319 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2010-11-23 (RECONF) 


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