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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-01 13:15 ［招待講演］TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発 ○内藤達也・石田達也（東芝）・小野塚 健（コバレントマテリアル）・西郡正人・中山武雄・上野芳弘・石本康実・鈴木昭弘・鍾 ウェイ丞（東芝）・Raminda Madurawe（readyASIC）・Sheldon Wu（China International Intellectual Property Services）・池田修二（tei Solutions）・親松尚人（東芝）  RECONF2010-50 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 319, RECONF2010-50, pp. 65-69, 2010年11月. | |
| 資料番号 | RECONF2010-50 | |
| 発行日 | 2010-11-23 (RECONF) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | RECONF2010-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2010-11-29 - 2010-12-01 |
| 開催地（和） | 九州大学医学部百年講堂 |
| 開催地（英） | Kyushu University |
| テーマ（和） | デザインガイア2010 ―VLSI設計の新しい大地― |
| テーマ（英） | Design Gaia 2010 ―New Field of VLSI Design― |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | RECONF |
| 会議コード | 2010-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monolithic 3D-FPGA with TFT SRAM over 90nm 9 layer Cu CMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 達也 / Tatasuya Naito / ナイトウ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 達也 / Tatsuya Ishida / イシダ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野塚 健 / Takeshi Onoduka / オノヅカ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | コバレントマテリアル株式会社 (略称： コバレントマテリアル) Covalent Materials Corporation (略称： Covalent Materials) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西郡 正人 / Masahito Nishigoori / ニシゴオリ マサヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 武雄 / Takeo Nakayama / ナカヤマ タケオ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 芳弘 / Yoshihiro Ueno / ウエノ ヨシヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石本 康実 / Yasumi Ishimoto / イシモト ヤスミ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 昭弘 / Akihiro Suzuki / スズキ アキヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍾 ウェイ丞 / Chung Weicheng / チヨン ウエイチエン |
| 第9著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | Raminda Madurawe / Raminda Madurawe / Raminda Madurawe |
| 第10著者 所属（和/英） | readyASIC (略称： readyASIC) readyASIC Inc. (略称： readyASIC) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | Sheldon Wu / Sheldon Wu / Sheldon Wu |
| 第11著者 所属（和/英） | China International Intellectual Property Services (略称： China International Intellectual Property Services) China International Intellectual Property Services Ltd. (略称： China International Intellectual Property Services) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 修二 / Shu Ikeda / イケダ シュウジ |
| 第12著者 所属（和/英） | ティーイーアイソリューションズ株式会社 (略称： tei Solutions) tei Solutions Inc. (略称： tei Solutions) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 親松 尚人 / Hisato Oyamatsu / オヤマツ ヒサト |
| 第13著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Semiconductor Company, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-01 13:15:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | RECONF |
| 資料番号 | RECONF2010-50 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.319 |
| ページ範囲 | pp.65-69 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-11-23 (RECONF) |
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