講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-11-12 13:00
パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム ○大嶋優記・金 英輝・間中孝彰・岩本光正(東工大) OME2010-55 OPE2010-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2010-55 OPE2010-125 |
抄録 |
(和) |
テトラセン電界効果トランジスタ(FET)に対して、パルス電圧を印加した際に観測されるエレクトロルミネッセンス(EL)の発光メカニズムを明らかにするため、電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)を利用した電界観測を行った。測定結果から、材料内に蓄積された正孔が形成する電界によって電子が自発的に材料内に注入されるため、これらが蓄積している正孔と再結合し、ELが観測されることを明らかにした。また、このような電界観測技術を利用することで、材料内に残留しているトラップ電荷の詳細を明らかにすることも可能であり、FET内でのキャリア挙動を詳細に解析できることを示した。 |
(英) |
By using electric field induced optical second harmonic generation (EFISHG), we clarified the mechanism of electroluminescence (EL) from tetracene field-effect transistor under a pulse voltage application. The results indicate that the electric field formed by accumulated holes made electrons be injected from metal electrode and the injected electrons recombined with accumulated holes leading to the EL emission. We also clarified the details of trapped hole behavior by using EFISHG measurement. This technique is useful to understand carrier behavior leading to EL. |
キーワード |
(和) |
テトラセン / 有機電界効果トランジスタ / エレクトロルミネッセンス / 電界誘起光第2次高調波発生 / / / / |
(英) |
tetracene / organic field-effect transistor / electroluminescence / electric field induced optical second harmonic generation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 276, OME2010-55, pp. 1-5, 2010年11月. |
資料番号 |
OME2010-55 |
発行日 |
2010-11-05 (OME, OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OME2010-55 OPE2010-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2010-55 OPE2010-125 |