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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 11:15 低転位GaN基板上縦型HFET ○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工）  ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 |
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| 抄録 | （和） | 再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field-Effect Transistor(HFET)を開発した．縦型HFETの特性オン抵抗は7.6 mcm2，しきい値電圧は-1.1 V，耐圧は672 Vであった．これらの値は，これまで報告のあったGaN系縦型トランジスタを上回る性能指数となる．さらに，AlGaN膜厚の最適化によりノーマリオフ動作が可能であることを確認した． |
| （英） | A novel vertical heterojunction field-effect transistors (VHFETs) with re-grown AlGaN/GaN two-dimensional electron gas channels on low dislocation density free-standing GaN substrates have been developed. The VHFETs exhibit a specific on-resistance of 7.6 mcm2 at a threshold voltage of -1.1 V and a breakdown voltage of 672 V. The breakdown voltage and the figure of merit are the highest among those of the GaN-based vertical transistors ever reported. It was also demonstrated that the threshold voltage can be controlled by the thickness of AlGaN layers and a normally-off operation is achieved. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN基板 / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN substrate / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 271, ED2010-157, pp. 67-70, 2010年11月. | |
| 資料番号 | ED2010-157 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低転位GaN基板上縦型HFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors on Low Dislocation Density GaN Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | heterojunction field-effect transistor / heterojunction field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 政也 / Masaya Okada / オカダ マサヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斎藤 雄 / Yu Saitoh / サイトウ ユウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 満徳 / Mitsunori Yokoyama / ヨコヤマ ミツノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 健 / Ken Nakata / ナカタ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重樫 誠司 / Seiji Yaegassi / ヤエガシ セイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 浩二 / Koji Katayama / カタヤマ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 昌紀 / Masaki Ueno / ウエノ マサキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木山 誠 / Makoto Kiyama / キヤマ マコト |
| 第8著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 勝山 造 / Tsukuru Katsuyama / カツヤマ ツクル |
| 第9著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 孝夫 / Takao Nakamura / ナカムラ タカオ |
| 第10著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-157, CPM2010-123, LQE2010-113 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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